基于脉冲耦合神经网络，提出了一种有效的椒盐噪声图像滤波算法。首先利用PCNN相似群神经元同步发放脉冲的特性检测噪声，并给出了神经元参数的估计方法。然后考虑到噪声点应和最近的非噪声点最相似，提出了一种扩展窗口中值滤波算法对噪声点进行滤波。仿真表明，本文提出的方法对不同强度的噪声图像均体现了优异的滤波性能，和相关的中值滤波算法相比也体现了相当明显的优势。

天然气系统与电力系统的时间响应特性之间存在显著差异，若在综合能源系统优化调度模型中进一步融入天然气系统动态潮流模型，则能够更精确地描述其实际运行状态。为此，建立了考虑气网动态过程的电力-天然气耦合系统，该系统基于能量枢纽相耦合，并在能量枢纽中引入考虑负荷特性的需求响应模型，提出了考虑需求响应的多能源网与能量枢纽的联合优化调度方法。通过对网络模型与能量枢纽模型进行线性化处理来降低模型复杂度，并采用分解求解法进行多能流潮流计算。以含有2个能量枢纽的综合能源系统为算例进行仿真分析，结果表明考虑气网动态潮流的模型能更准确地描述实际运行状态，且考虑需求响应对于降低峰谷差、提高经济效益效果显著。

文章《双分支定向耦合器 HFSS仿真》的配套仿真文件，可以使用ansys EM或者hfss15.0打开

以二维三角晶格光子晶体为研究对象，在该光子晶体中引入两行平行的单模线缺陷波导，以一行耦合介质柱为间距，通过调节部分耦合介质柱的折射率，构筑了光子晶体异质结耦合波导光开关结构。利用平面波展开法和定向耦合原理计算了在不同入射光频率下，缺陷波导间耦合介质柱的折射率不同时的耦合长度，确定了合适的光子晶体异质结耦合波导光开关的结构参数。利用时域有限差分法研究了该光开关中耦合介质柱的折射率变化及异质结构介质柱的位置分布对光信号输出路径的影响。结果表明，通过改变该结构中耦合介质柱的折射率可以改变光的输出路径，可实现光的开关行为。并且异质结构介质柱位置的随机分布对该光开关的影响不大，有助于光子晶体新型滤波器、定向耦合器、波分复用器以及光开关等光子器件的研究。

提出了一种基于三角晶格的1550 nm波段的光子晶体结构。为了使带隙最大，选取占空比（半径和光子晶体晶格常数的比值）为0.3,采取点缺陷和线缺陷相结合的直接耦合结构。基于Rsoft软件的时域有限差分方法(FDTD)方法仿真计算，对缺陷模、透射谱和时域稳态响应图进行了分析。计算了光开关的插入损耗、消光比和响应时间。结果表明，插入损耗为0.3957 dB，消光比为56.699 dB，响应时间为102.14 ps。该光开关结构的性能较好，可以完全满足现代应用的需求。

使用Matlab编程的电磁仿真工具，使用由Jia LIU开发的严格耦合波分析（RCWA）方法。 用户手册 该程序在 Matlab 中使用面向对象的编程范式，无需使用任何工具箱。所以只需要一个有效版本的 Matlab 就可以使用它。 安装 无需安装，但必须在 Matlab 中添加路径，如示例所示。 如何使用 示例文件中已给出示例。通过更改示例中的参数可以满足基本的仿真需求。以防万一，此文件中给出了一些解释。 主要使用四个对象：RCWA、Source、Device 和 Material。 RCWA是控制RWA计算引擎的主要对象。 Source 用于定义照明源。这里只能使用平面波源。可以控制波长、偏振和照射角度。 设备用于定义模拟结构的细节。在这个程序中，可以包括不同的形状（圆柱体、矩形等）。 材料是一个单独的对象，用于控制模拟中使用的材料。用户必须按照材料文件夹中显示的某种格式包含反射指数。另外可以直接定义简单的反射率，如定义空气反射率的例子。 更多详情、使用方法，请下载后阅读README.md文件

从人体建模、网格划分、边界条件的处理、湍流模型的选择及模拟结果分析等方面系统地介绍了如何 利用 Fluent进行人体散热的数值模拟以及舒适性分析。在相同工况条件下,完成了基于三类边界条件的人体 散热的数值模拟计算,经分析比较后指出第一类、第二类边界条件模拟的种种弊端和在反映人体舒适性问题 方面上的不足,然而与场函数结合的第三类边界条件具有自动适应周围流场的特点,其模拟结果能更为精确 地反映人体各部位的散热量,从而反映各部位的冷暖感觉。

近些年人们对磁耦合谐振式无线充电电能传输的研究相当火热，传统的电路拓扑结构的研究已经相当地完善，本文基于较为新颖的LCC-P电路拓扑结构展开研究，依据电路相关理论推导出了系统传输效率的表达式。通过ANSYS Maxwell仿真软件，建立了线圈模型，分析了线圈参数，再将模型导入ANSYS Simplorer仿真软件，对磁耦合谐振式无线电能传输系统进行联合仿真。结果表明：电能传输效率随着负载的增大而减小；随着发射端串联谐振电感的增大而增大，且变化趋势较明显。仿真实验验证了理论的正确性。

本文比较详细的阐述了两种宽带带状线定向耦合器的设计方法，其频率带宽 分别为2～18GHz和0．5"-'18．5GHz，耦合度分别为．20dB和．10dB。对前一种宽带耦合器采用了非对称多节侧边耦合带状线技术，对后一种采用了非对称渐变偏置 耦合带状线技术

低维磁性耦合体系的新物性及电/光场调控进展