摘　要：分析了功率MOSFET 最大额定电流与导通电阻的关系，讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑，提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度，以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法，并据此设计了一种元胞结构。详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节，包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P 阱推进等。流水所得VDMOS 实测结果表明，该器件反向击穿特性良好，栅氧耐压达到本征击穿，阈值电压2.8V，导通电阻仅25m Ω，器件综合性能良好。 　　1 引言 　　功率金属- 氧化物- 半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、

BSIM3v3是加州大学伯克利分校的BSIM集团为深亚微米数字和模拟电路设计提供的最新工业标准MOSFET模型。BSIM3v3.3是在其前身BSIM3v3.2.4的基础上做了以下修改:

广受欢迎的STC89系列升级版本 无法解密，解决全球89系列均已被加密的问题 超强抗干扰，超强抗静电 抗干扰能力比89系列更强，复位效果更好 直接取代89系列，软硬件无需改动 低功耗，超低价，高速，高可靠

半导体器件物理学习资料

通信电源

驱动电机及控制系统检修

VISIO最全无敌电子元件器件库，资源是非常详细的，积分当然贵了些 VISIO最全无敌电子元件器件库，资源是非常详细的，积分当然贵了些

SilvacoTCAD器件仿真3讲解.ppt

行驶记录仪方案器件资料 全资料 整个bom

Zynq配置控制器 一种配置控制器解决方案，允许Zynq器件配置下游FPGA。 可以在上面的GitHub“发布”选项卡中找到此IP的正式版本。 ##概述此IP旨在安装到Xilinx Vivado / SDK工具中，使用户能够为Zynq器件创建一种配置一个或多个下游FPGA器件的方法。 该控制器是为7系列设备设计的，但是由于比特流格式的通用性，它也可以用于配置较早的FPGA。 随着设计变得越来越复杂并需要更多的设备，通常希望让一个Zynq SoC设备充当其他FPGA的配置控制器。 这种方法还允许对整个系统中的各种比特流使用统一的存储介质。 注意：此控制器不允许配置下游Zynq-7000设备。 这是因为除JTAG端口外，Zynq-7000设备没有“从”配置模式。 该库是使用创建的，但可能会与其他版本向前和向后兼容。 ## Xilinx配置模式根据电路板布局，所需的配置速度和I / O