集成门极换流晶闸管(IGCT)在中压领域的应用越来越广泛。利用PSpice软件包建立了IGCT的单2T-3R模型仿真电路，并基于此模型对中压变频器中的逆变单元，在载波频率为800Hz时的三种情况(不考虑线路杂散电感、考虑较大杂散电感、考虑一种故障情况)进行了仿真和分析。提出IGCT不安装关断吸收电路只是在线路结构紧凑、杂散电感较小的场合：否则要加装关断吸收电路。

为实现多值逻辑电路，提出了一种新的采用双传输管逻辑的多值逻辑（MVL）电压型动态电路设计方案。基于该方案设计了三值反相器、文字运算电路、三值与门/与非门和或/或非门等基本电路，并采用标准CMOS工艺来实现这些电路。通过在预充电阶段将输出信号预充至逻辑值"1"来避免电路级联时的电荷再分配问题。采用双传输管逻辑结构来保证输出信号具有完整的逻辑摆幅和高噪声容限。分析结果表明，新设计方案消除了输出悬空态，其规则结构使得输入信号的负载对称性好，减少了延迟时间对输入数据的依赖。采用0.25μm CMOS工艺参数及3V

三极管和MOS管都是很常用的电子元器件，两者都可以作为电子开关管使用，而且很多场合两者都是可以互换使用的。三极管和MOS管作为开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该如何选择呢？ 三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。下文以NPN三极管和N沟道MOS管为例，下图为三极管和MOS管控制原理。 ▲NPN三极管与N-MOS管当开关管原理 （1）控制方式不同，三极管是电流型控制元器件，而MOS管是电压控制元器件，三极管导通所需的控制端的输入电压要求较低，一般0.4V~0.6V以上就可以实现三极管导通，只需改变基极限流电阻即可改变基极电流。而MOS管为电压控制，导通所需电压一般4V~10V左右，且达到饱和时所需电压一般6V~10V左右。在控制电压较低的场合一般使用三极管作为开关管，也可以先使用三极管作为缓冲控制MOS管，比如单片机、DSP、powerPC等处理器I/O口电压较低，只有3.3V或2.5V，一般不会直接控制MOS管，电压较低

MOS管驱动电阻怎么选择.rar MOS管驱动电阻怎么选择.rar

51单片机按键控制数码管程序 适合初学者51单片机按键控制数码管程序 51单片机按键控制数码管程序

功能列表: 1.自动审核 2.自动警告 3.自动踢人 4.自动回复 5.黑名单设置 6.白名单设置 7.入群提示 8.踢人提示 9.退群提示

74HC164驱动数码管C程序 74HC164驱动数码管C程序 74HC164驱动数码管C程序

3.2.2晶闸管三相桥式整流器的仿真模型

Remote Administrator 管理軟件 Remote Administrator注冊碼 Remote Administrator2.0

提出基于真空断路器与SF6断路器串联的混合式高压直流断路器新型拓扑结构，在传统强迫过零直流开断的基础上，提出以高压串联晶闸管组件续流支路创造主开关电压零休的思路，进而提高主开关的动态介质恢复强度。分析了新型混合式高压直流断路器的拓扑结构、工作原理、工作过程，得到其电压零休时间的数学描述和动态电压分布协同调控措施。然后基于连续过渡模型和改进Mayr模型搭建了新型混合式高压直流断路器的仿真电路，分析得到续流支路限流电阻、电感、振荡回路参数等对电压零休时间、反向暂态恢复电压的影响规律。