差压变送器是一种常用的工业测量仪器，它通过测量两个不同压力点之间的压力差，将这个物理量转换为电信号输出，用于过程控制和测量。在油库液位测量中，差压变送器的应用非常广泛。然而，要确保测量结果的准确性和可靠性，需要特别注意以下几点： 1. 罐体结构对测量准确性的影响。由于油罐的罐体水平截面可能不等，例如罐体上部直径比下部小，这种形状的油罐在使用差压变送器测量液位时会导致误差。为了消除这种不等截面对液位测量的影响，需要在二次表的选择上考虑使用具备液位-容量控制功能的智能仪表，例如WP-H80系列控制仪。这类仪器能对不同截面的罐体进行容量补偿，从而提高液位测量的准确性。 2. 智能化二次表的应用。选择二次表时，优先考虑智能化产品。智能表能够方便地进行量程调整和温度补偿，能够实时监测和修正由温度变化带来的压力变化，确保测量结果的精确。 3. 考虑差压变送器的安装位置。在设计和安装差压变送器时，油罐底部的取压孔位置需要尽可能放置在较低的位置，以减少由于温度变化导致的误差。在必要的情况下，引入温度补偿机制，这样可以提高测量的精确度。 4. 注意油罐顶部结构对选择变送器类型的影响。对于装有呼吸阀的油罐，由于呼吸阀的存在，会导致油罐内外压力差频繁变化，这时应使用差压变送器而不是压力变送器。而对于敞口油罐，由于其没有压力差变化或者精度要求不高，可以直接使用压力变送器，并且在安装上更为简便。 5. 防止积水对差压变送器的影响。在安装差压变送器时，要特别注意其负压室的密封和集水器的安装，需要保证定期排污以避免积水对变送器的影响。积水会导致差压变送器的负压室压力异常，从而影响测量精度。 总结而言，在油库液位测量中使用差压变送器，需要注意罐体结构特点、选择智能化的二次表、合理设计安装位置、根据油罐顶部结构选择合适的变送器类型、防止积水影响测量准确性。这些措施都是为了确保测量数据的准确性，进而保障油库的安全稳定运行。同时，相关厂家和维护人员应提供全面的技术支持和售后服务，确保用户能够正确使用和维护差压变送器，从而满足工业控制对测量精度的需求。

漏电继电器的常见故障 漏电继电器常见故障有： （1）漏电继电器不动作。其产生的土要原因有漏电动作电流较大、互感器传动线圈断线、复位弹簧弹力不足和机械部分被卡死。 （2）试验按钮无效。产生的主要原因有：漏电继电器已经损坏、试验线路接错和试验电阻变大等。 （3）过于灵敏，稍有振动或电流冲击即动作。产生的主要原因有：分磁板气隙变小、永久磁铁失磁和衔铁表面有污物等。 检修时要仔细观察，有时设备故障原因不止一个，有些问题则必须通过实际摸索才能解决。 漏电继电器注意事项 使用漏电继电器时应注意以几点： （1）根据保护对象确定漏电继电器的型号，如额定电流、漏电动作电流等。 （2）被保护电网应是中线接地系统。在被保护线路内，中性线不允许重复接地，保护地线不要穿过磁环，不得与中性线混在一起。 （3）为了防止漏电脱扣器线圈引线过长，使脱扣电流变小，引线的截面积大一些为好。 （4）使用过程中要定期试验，以便及时查出漏电继电器的故障，用电中不能因为装了漏电继电器而麻痹大意。

增材制造（AM）技术在过去几年中取得了进步，其中许多现在已经能够生产功能部件，而不仅仅是原型。 AM提供了很多好处，尤其是在设计自由方面。 但是，由于缺乏针对AM的全面设计规则，它仍然缺乏工业相关性。 尽管通常将AM宣传为所有传统制造设计限制的解决方案，但事实是AM仅用一组不同的限制代替了这些限制。 为了充分利用AM的优势，有必要了解这些限制并在设计过程中尽早考虑它们。 在AM中建立设计注意事项可实现零件和过程的优化。 本文讨论了可优化零件质量的设计注意事项。 具体来说，由于其通用用法和可用性，本文讨论了熔融沉积建模（FDM）。 这些考虑来自文献和作者所做的实验。 作者所做的实验包括研究高温对FDM PLA零件性能的影响，确定FDM打印不带支撑物的悬臂和桥的能力，研究加工参数对尺寸精度的影响以及效果工艺参数对最终FDM样品的弹性模量的影响。 这项工作提出了一个案例研究，以研究FDM零件的正确间隙，并最终重新设计了最初使用传统制造方法制造的支撑架的AM案例研究，同时考虑了本文所讨论的设计注意事项。

面试是求职过程中的重要环节，对于求职者来说，掌握一定的面试技巧和注意事项是取得成功的关键。在面试中保持谦虚谨慎的态度是非常重要的。求职者应该表现出对专业知识的尊重和对面试官的礼貌，当遇到自己不懂的问题时，应该虚心请教或直接承认自己的不足。此外，机智应变也是面试中必不可少的技巧，求职者需要根据面试的具体情况，比如面试类型的不同，灵活调整自己的应对策略。在面试过程中，可能会遇到一些尴尬场面，如何妥善处理这些问题，也是求职者需要提前准备和练习的。 扬长避短是面试中的另一个重要技巧。求职者应该学会突出自己的优势，同时也要恰当处理自己的不足之处。在回答面试官的问题时，可以巧妙地展示自己的长处，用合适的方式解释自己的短板。此外，显示自己的潜能也是面试中的关键点。求职者应该抓住一切机会，通过一些小细节巧妙地展示自己的潜力，比如可以自然地提及自己正在学习的其他技能，或者在回答问题时间接展示自己的某些能力。 为了在面试中更好地展示自己，求职者还应该学会如何消除紧张感。保持一颗平常心，不要把面试的结果看得过于重要，这对缓解紧张情绪很有帮助。同时，面试前的充分准备也是减轻紧张的有效方法。除了知识和技能的准备，还要对面试的流程和礼仪有所了解。另外，增强自信心也是克服紧张的有效手段。面试时，求职者应该坚定地看着主考官，用余光关注周围环境，这样既能增强自信，又能有效缓解紧张感。 在面试过程中，求职者还应该注意不要过度关注面试结果，而应该将注意力集中在与考官的交流和问题的回答上。同时，不要将考官视为过于神秘的人物，这样的认识有助于放松心情。另外，多参与模拟面试的练习，可以帮助求职者提前适应面试场景，从而减少面试时的紧张情绪。 面试技巧和注意事项主要包括保持谦虚谨慎，机智应变，扬长避短，显示潜能，消除紧张感等方面。求职者在面试前需要进行充分的准备，了解面试的类型和流程，并通过模拟面试等方式来提高自己的应对能力和自信心，从而在真正的面试中能够更好地展示自己的才华，给面试官留下良好印象。最终，通过这些准备和技巧，求职者可以增加自己在面试中的成功几率。

内容概要：本文详细介绍了STM32F1系列单片机的空中升级（OTA）解决方案，采用YModem协议进行固件更新。首先讲解了Bootloader的设计，包括启动时的跳转逻辑、中断向量表偏移以及Flash擦写操作。接着探讨了上位机部分，使用C#实现了YModem协议的文件分块发送，并强调了CRC校验和包序号校验的重要性。最后分享了一些实用的调试技巧和常见问题的解决方案，如波特率选择、内存对齐、Flash擦除等。 适合人群：从事嵌入式开发的技术人员，尤其是熟悉STM32平台并希望掌握空中升级技术的研发人员。 使用场景及目标：适用于需要对STM32F1系列单片机进行远程固件更新的项目，帮助开发者理解和实现基于YModem协议的空中升级方案，提高系统的灵活性和维护性。 其他说明：文中提供了详细的代码示例和配置步骤，便于读者快速上手实践。同时提醒读者注意一些容易忽视的关键点，如波特率设置、Flash擦除方式等，以确保升级过程顺利进行。

在进行TSMC 12nm标准单元库的设计和版图布局时，有诸多细节需要特别注意。对于标准单元（Stdcell）而言，Tsmc 12NM Stdcell6T剖面图新增了M0_PO、M0_OD和V0三个层面。它们的连接关系自下而上依次为M0_OD、V0、M1POLY、M0_PO、V0和M1。这种设计与更上层次的工艺没有区别，因此在设计时，可以参考其他工艺的M1以上层次的布局。 在理解层次之间的连接关系时，M0OD和M0PO的标识通过Mark Net工具可以更加直观地展现，对于加快理解设计层次间的连接关系非常有帮助。在版图设计中，格点和FinGrid的尺寸是关键，对于Tsmc 12nm工艺，格点大小是0.001，而FinGrid的尺寸是0.048。 Tsmc 12nm工艺在Fin版图设计上有所创新，新增了FINFET FB1层，这一层用来显示Fin的位置。需要特别注意的是，Fin的第一Y坐标位置设定在0.024，这是因为这个值等于半个Fin的高度。而FinMOS OD的高度并不是简单地通过Fin的数量乘以Fin的高度来确定的，而是通过nFin参数来表示。 在版图设计中，所有AAAA边缘必须落在Fin上，否则会造成许多DRC（设计规则检查）错误。另外，PO（Poly的中心间距）为0.096，因此在版图设计时需要添加PO_P96层。 针对边缘POLY，其宽度为0.02，与GATE的长度不同。但无论如何，从POLY中心到POLY中心的间距应该保持在0.096。PODE（Poly on OD edge）的作用是当OD断开时，在边缘部分要确保有PODE，以保持电路的连续性。CPODE（CUT FinFET process CELL 的边缘断开）确保了不同CELL之间的连接在必要时可以被断开。 在CELL设计中，特别是涉及P/N MOS之间的连接，PO和CPO的使用至关重要。两排CELL的设计时，上下边缘的CPO是连续的，中间CPO是断开的，以确保上下排CELL之间可以通过GATE连接。CPO宽度是离散值，边缘选择宽度为0.082，而P/N MOS之间则是0.044。 M0OD（Metal 0 Odd/Even）需要均匀等间距布局，M0OD和OD直接连接，P/N MOS之间的M0OD互连。如果需要在不需要的地方打断M0OD，就要使用CM0OD。M0OD与OD相接的地方，以竖向方式引导到电源层，通过VIA0与M1连接。 M0_PO的宽度是不连续的，是离散值，布局时需要注意。PO的横向连接在布局中也非常重要，需要确保各个组件之间的正确连接。 TSMC 12nm工艺在标准单元设计中增加了多层次的连接细节，从版图格点到Fin结构的布局，再到M0OD、PO和CPO等关键部分的详细设计，都要求设计者有非常严格和精细的操作标准，以确保芯片设计的正确性。

vSphere作为VMware虚拟化解决方案中的核心产品，是构建和管理虚拟环境的关键技术。其环境中的证书更新和续订对于保障虚拟基础架构的安全性和可靠性至关重要。在vCenter证书更新过程中，可能会涉及到一系列的工具，这些工具各有其特定用途和操作步骤，它们分别是checksys.py、fixsts.sh、lsdoctor和vCertTool。下面将详细介绍这些工具的用途、功能以及在更新和续订过程中应注意的事项。 checksys.py工具主要用于检查系统的配置和状态，确保在进行证书更新前，所有条件都符合更新要求。它可以识别出环境中的问题，如证书是否已过期或即将过期，以及系统设置中是否存在可能导致更新失败的配置问题。 fixsts.sh脚本是一个用来修正vCenter Single Sign-On（SSO）中的已知问题的shell脚本。在某些情况下，SSO服务的配置可能会出现错误，导致证书更新不成功。fixsts.sh能够帮助管理员修正这些问题，确保SSO服务能够正常工作。 lsdoctor是一个用于诊断vCenter系统健康状态的工具，它可以检测和解决vCenter服务器上可能出现的多种问题。虽然它主要用于解决健康问题，但在进行证书更新前，使用lsdoctor检查并确保vCenter服务器无重大问题也是推荐的做法。 vCertTool是VMware官方发布的用于管理vCenter证书的工具。vCertTool简化了证书更新和管理过程，使得管理员可以更加方便地替换、更新和维护vCenter服务器和vCenter Server Appliance上的证书。通过vCertTool，管理员可以执行导入、导出以及替换证书等操作。 在使用上述工具进行vCenter证书更新或续订时，需要注意以下几个方面： 1. 更新前的准备工作：在进行任何更新操作之前，备份当前的证书和整个vCenter配置是至关重要的。确保所有的备份工作都经过测试，能够成功恢复系统。 2. 检查系统兼容性：确保系统和所有组件的版本与所使用的证书更新工具兼容。 3. 遵循官方文档：在进行证书更新时，始终遵循VMware提供的官方指南和最佳实践。这可以避免由于误操作而导致的服务中断。 4. 更新操作的计划性：证书更新不应该是一个临时起意的决定。应该在一个维护窗口内，避免在业务高峰期进行更新操作。 5. 更新后的验证：更新操作完成后，需要验证新的证书是否已经正确应用，并确保所有服务均能正常工作。 6. 长期维护：定期检查证书的有效性，确保所有证书都在有效期内。根据VMware推荐的最佳实践，应当制定一个周期性的证书更新计划。 7. 安全性考虑：证书更新过程中，要确保系统的安全性不受影响，避免敏感数据泄露或未授权访问。 8. 保持软件更新：更新证书的同时，也要确保vCenter服务器及所有相关组件的软件都是最新版本，以避免潜在的安全漏洞和兼容性问题。 9. 文档记录：在进行证书更新的过程中，应该详细记录所有的操作步骤和结果。这对于未来的故障排查和审核都有重要作用。 10. 训练有素的团队：只有经过充分训练，了解vCenter证书更新流程和可能遇到的问题的团队成员才能执行更新操作。 了解和掌握这些工具的使用以及遵循上述注意事项，对于确保vSphere环境的稳定运行和安全性具有重要意义。vSphere证书的更新和续订不仅是技术上的操作，更是一种责任和规范的体现。

### SH367309 应用注意事项详解 #### 一、引言 SH367309是一款高性能的电池管理系统(BMS)芯片，主要用于监控和管理锂电池组的安全运行。本文档将详细介绍SH367309在实际应用中的注意事项，包括但不限于通信容错、寄存器防护、电压和温度采集、电流采集以及均衡控制等方面的内容。 #### 二、通信容错 **1.1.1 TWI 通信容错** - **背景**: 在使用SH367309的过程中，由于TWI总线可能受到电磁干扰或信号质量不佳的影响，可能会导致数据传输错误。 - **解决方法**: - **方式一**: 定期检查RST_FLG寄存器的状态，一旦发现该寄存器被置位，即表示发生了异常情况。此时，可以通过重新初始化的方式来恢复系统的正常运行。 - **方式二**: 定时读取BFLG40H寄存器的值，并与预设值进行比较。如果发现差异，则需要重新初始化40H寄存器。这种方式特别适用于那些对时间敏感的应用场景。 **1.1.2 RAM 寄存器防护** - **背景**: 在实际应用中，由于电源波动或其他外部干扰，RAM中的数据可能会遭到破坏。 - **解决方案**: - 对于关键的RAM寄存器，如BFLG40H寄存器等，采取定期读取并校验其值的方法来确保数据的完整性。 - 如果发现寄存器的值与预期不符，则需要执行相应的恢复措施，例如重新初始化相关的寄存器。 #### 三、电压和温度采集 **1.1.3 采集电压和温度** - **校准**: SH367309在出厂前已经进行了电压和温度的校准。 - **精度**: - 单节电芯电压精度: ±7mV(考虑到芯片采集端口滤波电阻压降的影响)。 - 温度精度: ±2℃。 - **计算公式**: - 电芯电压计算公式: `CELLV = 15 * CELL1 / 32` (其中`CELL1`为`CELL1`寄存器值)。 - 温度计算公式: `TEMP = (1132768 - TEMP1) * RREF / RT1` (其中`RT1`为外部热敏电阻阻值，`RREF`为内部参考电阻阻值，`TEMP1`为`TEMP1`寄存器值)。 - 内部参考电阻`RREF`计算公式: `RREF = 6.8 + 0.05 * TR[6:0]` (其中`TR[6:0]`是寄存器`TR`的低7位)。 #### 四、电流采集 **1.1.4 采集电流** - **介绍**: SH367309内部集成了VADC和CADC两个模块，用于电流采集。 - **特性**: - **VADC**: 分辨率为13位，采集电流为分时采集(采样周期为100mS，其中采集电流占5mS)。 - **CADC**: 分辨率为16位，采集电流为实时采集。由于考虑到PCB Layout差异而引入的Offset不尽相同，因此用户需要进行电流Offset和Gain校准。 - **计算公式**: - 软件计算出的电流`I = K * (CADC码值 - Offset值)`。其中`K`为线性增益。例如，假设`K = 0.04`，获取的`Offset`值为`0xFFE8`，实际放电电流为-5A对应的`CADC`码值为`0xFF57`，代入上述公式得到电流`I = 0.04 * (0xFF57 - 0xFFE8) = -5.8A`。根据真实电流值调整`K`的值，以获得更精确的测量结果。 #### 五、均衡控制 **1.1.5 均衡控制** - **背景**: SH367309支持两种均衡控制方式。 - **方式**: - **保护模式下**，均衡控制完全由SH367309自动进行，当检测到电池组中某个电池单元电压超过阈值时，均衡电路将自动启动。 - **采集模式下**，均衡控制由外部MCU根据采集到的数据来决定何时启动均衡。例如，在周期性地监测Cell1~Cell5后，可以根据需要开启奇数或偶数电池单元的均衡功能。 ### 结论 通过对SH367309在TWI通信、RAM寄存器防护、电压和温度采集、电流采集以及均衡控制等方面的注意事项进行详细的说明，可以帮助开发人员更好地理解和掌握这款芯片的特点与应用技巧，从而提高系统的稳定性和可靠性。

noip考试需要注意的事项，例如：可以估计复杂度，比如10^9可能需要根号或log级别的，如果10^18，那么log才行，如果就300或100，可以O(n^3)，如果数很小，可以用阶乘或幂次的了

内容概要：本文档《ML307R_参考设计_V001_20231012.pdf》详细介绍了ML307R模块的硬件设计规范和注意事项。主要内容包括：1. 引脚配置及使用规则，如所有未使用的引脚和RESERVED引脚应悬空，所有GND引脚需连接到地网络上；2. USB通信设计，建议MCU与模块间的USB通信串联共模电感以滤除EMI干扰，并预留USB升级测试点；3. VBAT输入电压范围为3.4-4.5V，ADC检测输入电压范围为0-1.2V；4. (U)SIM接口设计，需增加ESD防护器件，DATA线上拉电阻靠近(U)SIM卡座放置；5. 音频接口设计，通过PCM_OUT引脚输出PWM波，需外挂PA运放放大音频信号；6. 主天线设计，天线到模组射频引脚的走线阻抗需控制为50Ω；7. LED、USB、TP设计，预留测试点和BOOT_MODE接口，便于模块固件升级和故障排查。 适用人群：硬件工程师、嵌入式开发工程师以及从事物联网设备开发的技术人员。 使用场景及目标：1. 设计基于ML307R模块的产品时，确保硬件电路设计符合规范，保证模块正常工作；2. 提供详细的硬件设计指南，帮助工程师快速理解和应