在水杨酸的存在下合成了对齐的聚苯胺纳米棒。 在樟脑磺酸（CSA）和对甲苯磺酸（pTSA）的存在下也形成了纳米棒和纳米管。 电导率测量表明，对准的纳米棒比未对准的纳米结构具有更好的导电性。 在某些情况下，还可以观察到纳米球。 细长的纳米结构或球的形成取决于苯胺单体与表面活性剂的摩尔比。 使用软模板形成纳米结构的这种方法通常称为无模板方法。 我们的成功促使我们探索无需使用模板即可获得相似的金属纳米结构的可行性。 我们成功地合成了铜和氢氧化铜纳米线。 当铜纳米线形成为网眼时，氢氧化铜纳米线形成为绕组束。 在改变反应物的添加顺序时，形成了氢氧化铜纳米带而不是束。 这些纳米结构的表征使用扫描电子显微镜（SEM），原子力显微镜（AFM），透射电子显微镜（TEM），傅立叶变换红外光谱（FTIR）和四点探针进行，以测量电导率。 通过无模板方法制造的金属纳米线和有机纳米线都是用作聚合物纳米复合材料中填料的潜在候选材料。 人们发现聚合物纳米复合材料可用于许多先进的现代应用中，例如继续小型化的电子设备中的热界面材料，轻量化和坚固性很重要的航空航天工程，传感器，医学和催化活性。

在添加了Fe，Ge，Hf，Si和/或V的等摩尔NbTaTiZr基高熵合金（HEAs）中观察到超导（SC）。 根据对晶体结构，组成以及临界温度与e / a比率之间关系的研究，正如Matthias的经验法则所表明的那样，主要的超导相是富含Nb和Ta的相。 由载流子密度计算出的相干长度（ξ）表明，与二元Nb-Ti和Nb-Zr合金所显示的ξ值具有数百埃的数量级。

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芯片是IC（集成电路）的载体。 由于设计，制造以及封装和测试过程，芯片通常是旨在立即使用的完全独立的实体。 根据已知数据，一个芯片输出可以驱动电子信息产业中的十个输出单元和100个GDP单元（国内生产总值）。 芯片信息产业是欧洲和北美大多数发达国家的战略产业。 芯片信息产业的发展与国民经济和个人生计有关。 摩尔在分析数据后发现了某种趋势：通常，每个新生产的芯片的容量都是上一代芯片的两倍，而下一代芯片的发明则需要18到24个月的时间。 这种趋势已被称为摩尔定律。 它不仅适用于存储芯片的开发，而且适用于处理器功能和磁盘驱动器存储容量的演进路径。 摩尔定律已成为多个行业绩效预测的基础。 然而，自2011年以来，硅晶体管的尺寸一直在原子水平上接近其物理极限。 由于硅的性质，硅晶体管的运行速度和性能方面的其他突破受到了严重限制。 升高的温度和泄漏是使摩尔定律无效的两个主要来源。 为了解决这些问题，本文分析了芯片信息产业面临的具体问题，包括碳纳米管芯片的发展以及国际芯片信息产业的激烈竞争。 此外，本文对中国芯片信息产业进行了批判性分析，并对中国芯片信息产业发展的对策进行了分析。

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