提出了一种超结(SJ)VDMOS,其沟槽栅极下方具有高k(HK)介电柱,并通过仿真进行了研究。 HK电介质导致n柱的自适应辅助耗尽。 这不仅增加了n柱掺杂浓度,从而降低了比导通电阻(Ron,sp),而且减轻了SJ器件中的电荷不平衡问题。 在高电压阻挡状态下,HK电介质削弱了横向场并增强了垂直场强度,从而提高了击穿电压(BV)。 通过沟槽侧壁的离子注入形成了狭窄且高度掺杂的n柱,以进一步降低Ron,sp。 与传统的SJ VDMOS相比,R on,sp降低了42%,BV增加了15%。
2024-05-28 15:16:19 649KB Charge Dielectric Doping
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意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能,可用于各种开关拓扑控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。 STGAP2SCM配备一个有源米勒钳位专用引脚,为设计人员防止半桥配置晶体管意外导通提供一个简便的解决方案。在MOSFET关断状态时,该引脚可将所连MOSFET的栅电压限制在隔离接地电压,直到下一个真正的导通信号出现为止。 STGAP2SM具有独立的导通/关断输出,可配合两个外部栅极电阻来优化晶体管开关性能。 STGAP2S栅极驱动器全系标配4A轨到轨输出,即使驱动大功率逆变器,也能保证开关操作快速、高效。输入到输出传播延迟在80ns以内,在高开关频率下确保PWM控制精确,满足SiC器件的驱动要求。出色的抗dV / dt共模瞬变干扰能力,使其能够防止耗能的杂散开关操作。 这些器件内置1700V电气隔离功能,可以降低消费级或工业电机驱动器、600V或1200V变频器、DC / DC转换器、充电器、电焊机、感应炉、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)控制器的
2024-03-22 09:47:55 72KB 栅极驱动器 意法半导体 技术应用
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晶闸管控制角/导通角测量仪设计,介绍可控硅的控制角和导通角的测量,更好的控制可控硅的导通时间
2023-04-23 00:49:27 109KB 控制,导通
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摘要氮化镓( G aN ) 器 件 的 出现 使 图腾柱无桥 P FC( Powe rFacto rCo rrec t ion ) 变换器 能够工作 在连续导通
2023-03-26 23:38:15 9.31MB
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电源系列MOSFET IGBT应用入门与精通MOSFET并联技术应用电路分析等技术资料180个合集 (核心)MOSFET开关详细过程.pdf (核心)MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf (核心)功率MOSFET安全工作区SOA:真的安全.pdf (核心)功率MOSFET的特性.pdf (核心)功率MOS管的五种损坏模式详解.pdf (核心)如何导通MOSFET.pdf IRF3205S中文资料.doc IR系列MOS驱动ic中文应用手册.pdf MOSEFT分析_理解功率MOSFET的开关损耗.pdf MOSFET Mosfet 和 三极管:在ON 状态区别.pdf MOSFET 应用说明.pdf MOSFET-IGBT的驱动理论与应用.pdf MOSFET与IGBT的区别.doc MOSFET与IGBT的应用区别.pdf MOSFET与IGBT的本质区别.pdf MOSFET与IGBT的驱动和保护方法.pdf MOSFET体二极管反向恢复过程分析.pdf MOSFET和IGBT性能对比.pdf MOSFET和IGBT的对比分析.pdf MOSFET并联技术 MOSFET损耗计算 MOSFET栅极应用电路分析汇总.pdf MOSFET栅极应用电路分析汇总(驱动、加速、保护、自举等等).pdf MOSFET温升计算工具.xls MOSFET特性参数的理解.pdf MOSFET的UIS及雪崩能量解析.docx MOSFET的雪崩能量与器件的热性能.doc MOSFET的驱动技术详解.doc MOSFET管驱动电路基础总结.docx MOSFET米勒震荡应对1.pdf MOSFET米勒震荡应对2.pdf MOSFET米勒震荡应对3.pdf MOSFET规格书详解.pdf MOSFET计算公式.xls MOSFET选型手册(ALPHA&OMEGA).pdf MOSFET雪崩能量的应用考虑.doc MOSFET雪崩能量计算方法.pdf MOSFET驱动器与MOSFET栅极电荷匹配设计.pdf MOSFET驱动方式详解.pdf MOSFET驱动电路设计参考.pdf MOSFET驱动电阻功耗讨论-综合电源技术-世纪电源网社区.pdf MOS器件ESD失效的机理分析.pdf MOS开关损耗计算.pdf MOS管与三极管的区别作用特性参数.pdf MOS管击穿原因详析及各类解决方案.doc MOS管功率损耗竟然还可以这么测.pdf MOS管参数详解及驱动电阻选择.pdf MOS管器件击穿机理分析.pdf MOS管开关时的米勒效应 张飞.pdf MOS管炸不炸,原因就在这里.pdf mos管的GS波形振荡怎么消除.pdf mos管的最大持续电流是如何确定.pdf MOS管被击穿的原因及解决方案(全).doc mos管门级驱动电阻计算.pdf MOS管静电击穿的原因和防护措施.doc MOS管驱动电阻怎么选择.doc MOS管驱动电阻怎么选择.pdf NECMOSFET选型.pdf VISHAYMOS选型手册.pdf VISHAY功率MOSFET基本系列:了解栅极电荷并用来评估开关性能.pdf 从安全工作区探讨IGBT的失效机理.pdf 传统MOSFET和超结MOSFET的体二极管反向恢复特性评估.pdf 何种应用条件要考虑MOSFET雪崩能量.doc 关于MOS管的15个为什么.pdf 典型开关MOS电流波形的精细剖析.pdf 再谈米勒平台及线性区:为什么传统公式计算超结MOSFET开关损耗无效?.pdf 分立MOS—双极达林顿功率开关设计中的一些问题----(国外电力电子技术).pdf 功率MOSFET低温工作特性分析.pdf 功率MOSFET反向特性的分析模拟.pdf 功率MOSFET并联驱动特性分析.pdf 功率MOSFET的UIS雪崩损坏机理:第五篇.pdf 功率MOSFET的封装失效分析.pdf 功率MOSFET的栅极电荷特性.pdf 功率MOSFET的特性.pdf 功率MOSFET的结构与特点.pdf 功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析.pdf 反激式电源中MOSFET的钳位电路.pdf 吃透各类MOSFET电路.pdf 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较.pdf 基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法.pdf 基于有源控制的IGBT串联技术的研究及应用.pdf 如何确定MOSFET的驱动电阻.pdf 并联MOSFET的雪崩特性分析.doc 张兴柱-功率器件设计公式.pdf 张兴柱之MOSFET分析.pdf 有源钳位电路.pdf 深入理解功率MOSFET数据表.docx 理解MOSFET的VTH:栅极感应电压尖峰.docx 理解MOSFET的每个特性参数的分析.pdf 理解功率-理解功率MOSFET管
桥式拓扑广泛用于直流供电电压高于晶体管的安全耐压值的离线式变换器中,针对双闭环反馈控制半桥DC-DC变换器电路,为了得到稳定的直流电压、电流输出,采用电压闭环回路和电流闭环回路的反馈放大最终实现对半桥开关PWM波信号的控制,进而影响半桥变换器的轮流导通MOS开关管的导通占空比的方法,通过闭环网络仿真实验和硬件电路功率实验,验证了双闭环反馈控制可以满足半桥电路3.6 kW功率输出的要求。
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 为了克服常用升压变换器在大功率、高输入输出变比等场合应用的限制,本文研究分析了一种新的电路拓扑结构及其工作方式,并对其进行了仿真验证。
2022-04-10 16:02:54 55KB 占空比 导通 波形图 关断
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本文探讨了在DC/DC变换器中,为什么恒定导通时间控制(COT)比传统电流模式控制方式更加有效。    图 1为DC/DC变换器的传统电流模式架构图,它采用的方式是将采样电流(红色部分)与电压反馈环路中误差放大器的输出(蓝色部分)进行比较,以生成控制MOSFET的PWM脉冲。      在传统控制架构中,有两种因素会影响输出负载变化的瞬态响应性能。      因素是误差放大器。在电压反馈环路中,补偿网络的误差放大器充当了低通滤波器的作用,从而拉长了变换器对输出电压变化的响应时间。     图 1:电流模式DC/DC架构图     图 2 显示了误差放大器
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根据DC-DC变换的基本原理,在断续导通模式下,依据状态空间法建立了BUCK、BOOST、BUCK/BOOST三种变换器的数学模型,并在此基础上基于PSIM(Powersim)对三种变换电路分别构建了仿真模型。利用该仿真模型不仅可以有效模拟实际的DC-DC变换电路的运行特性,而且还可以采用不同的控制算法、控制策略对该模型进行闭环控制,为分析设计DC-DC变换电路及其控制系统提供了有效的方法,同时也为实际电路的设计调试提供了新思路。仿真结果与理论分析一致,表明了建模方法的正确性。
2021-12-26 16:45:41 418KB 工程技术 论文
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N结正偏时导通反偏时.docx
2021-12-26 15:02:36 21KB