介绍了一种采用0.35 μm CMOS工艺制作的LDO电路。电路采用工作在亚阈值区的跨导放大器使得电路工作在超低静态电流下，因此实现了超低静态功耗和高效率性能。整个电路所占面积约为0.8 mm2，在典型工作状态下电路总的静态电流约为500 nA，最大负载电流为150 mA。电路输入电压为3.3 V～5 V，输出电压为3 V。
2021-05-29 14:05:31
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本资源是RH850/F1K的深度睡眠例程。
RH850/F1K是Renesas（瑞萨）的一款汽车级的32bit MCU芯片，性能高，功耗低。本资源使用INTP9作为唤醒源，唤醒处于深度睡眠模式的CPU。
适用于使用RH850/F1K芯片进行软件开发的工程师或者单片机学习的人员。
2021-04-14 19:01:44
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