GAL22V10以最大4ns的传输延迟时间,结合高性能的CMOS工艺与电可擦(E2)悬浮栅工艺可为市场提供在任一22V10设备中得到的最高性能。当与双极型22V10设备相比较时,COMS电路允许GAL22V10消耗较少的功率。E2技术提供高速度(<100ms)擦除时间,其具备快速且有效可再编程或再组合设备的能力。
2021-12-31 14:03:25 207KB pld 通用阵列逻辑
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