核工业中重要材料损伤评价方式。用于计算不同入射能量入射角度情况，材料中缺陷的形成情况规律。和辐照损伤试验相辅相成。

采用准分子激光对SiC陶瓷表面进行了不同脉冲数、不同单脉冲能量和不同重复频率的辐照实验, 获得了SiC陶瓷的辐照损伤二维和三维表面形貌, 并分析了微观作用机制。结果表明, 193 nm准分子激光辐照SiC陶瓷时既产生光热作用又产生光化学作用, 其中光热作用占主导; SiC表面损伤的宏观形貌与激光辐照参数相关, 辐照脉冲数增加或单脉冲能量增加均会加重辐照损伤, 增大激光重复频率会导致辐照损伤深度略微下降。

研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP GaAs Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明, GaInP GaAs Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐 照下剂量为1× 1015cm- 2时,与辐照前相比最大功率衰降了17.7%.暗I-V特性分析表明,高能电子辐照下三结电池 串、并联电阻的变化是引起太阳电池电学性能衰降的重要原因.光谱响应分析结果表明,GaInP GaAs Ge三结太阳电 池电学性能发生明显衰降的主要原因是其GaAs子电池的严重损伤造成的,而GaAs子电池的损伤主要表现为基区 底部光生载流子收集效率的明显衰降.提高GaInP GaAs Ge三结太阳电池抗辐照能力的关键在于尽可能地减小 GaAs子电池的基区损伤