开关电源开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新,使得开关电源技术也在不断地创新。目前,开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备,是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。开关电源产品广泛应用于工业自动化控制、军工设备、科研设备、LED照明、工控设备、通讯设备、电力设备、仪器仪表、医疗设备、半导体制冷制热、空气净化器,电子冰箱,液晶显示器,LED灯具,通讯设备,视听产品,安防监控,LED灯带,电脑机箱,数码产品和仪器类等领
2023-06-28 14:22:47 217KB 开关电源中肖特基二极管的作用
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1200V碳化硅肖特基二极管是固锝电子新推出的第三代SiC肖特基二极管。 可以实现超低的反向恢复时间,优越的高温反向漏电流,优化提升开关损耗,很好的提高了电动汽车、混合动力汽车、通信、工业和商用等电源类产品的使用效率。
2022-10-28 15:03:55 312KB SIC肖特基 碳化硅肖特基 碳化硅MOS
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此文件的内容为肖特基二极管SBD的silvaco仿真代码,器件中设置了场线环结构,可增大器件的击穿电压。
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肖特基二极管以发明人肖特基博士(Schottky)命名。  (Schottky Barrier Diode)是肖特基势垒二极管的缩写。  不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成,肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。  肖特基的两个主要特点,一个是正向导通压降比较低,一般在0.15~0.5V之间,导通压降低可以提高系统的效率。  另一个特点是反向恢复时间短,一般在几个纳秒。  所以肖特基二极管一般用作高频、大电流整流、低压、续流二极管、保护二极管等。  二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复的过程,而不是立即由导通到截止。  对上述的肖特基二极管上加电压。  在0-t1时间内,给二极
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退火温度对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响,王一义,孙颉,采用真空蒸镀法在n型Hg3In2Te6表面分别制备了Au和In电极,探讨了氮气气氛下快速退火对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响规律。通过I-V和C-V�
2022-05-23 13:49:31 450KB 首发论文
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肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触,就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。   肖特基势垒指具有大的势垒高度(也就是ΦBn 或者 ΦBp >> kT),以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触(施敏, 半导体器件物理与工艺, 第二版, 7.1.2)。   肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触,就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。   金属与n型半导体形成的肖特基势垒如图1所示。金属—半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级。肖特基势垒相较于PN界面的区别在于具有较低的界面电压,以及在金属
2022-05-17 19:53:14 56KB 什么是肖特基势垒
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肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)的简称。   肖特基二极管原理及结构   和其他的二极管比起来,肖特基二极管有什么特别的呢?   SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。   典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2
2022-05-17 19:28:06 96KB 肖特基二极管原理及结构
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碳化硅半导体材料与器件,主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容
2022-05-09 17:38:41 372KB 4H-SiC 肖特基 二极管
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无线携能通信旨在实现信息与能量的并行传输。作为无线携能通信系统的重要组成部分,整流电路是影响系统能量转换效率的重要的因素之一。给出了整流电路能量转换效率以及输入功率的表达式,利用该简化模型可初步估计整流电路的性能,为整流二极管的选型、电路优化提供一定的指导。利用ADS软件对所设计的一款微带整流电路进行了仿真。理论计算及仿真结果均表明,超窄带调制信号具有与正弦信号几乎一致的优异携能特性。采用超窄带调制作为无线携能通信系统中的信息调制方案,为无线携能通信系统的设计提供了一条可行思路。
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GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性,即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失,此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下,GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。支GaN基肖特基紫外光电探测器于1993年被提出四,它具有如图1(a)所示的结构:它也是在蓝宝石衬底上外延生长GaN,通过掺杂Mg实现P型掺杂,再淀积电极形成肖特基势垒和欧姆接触,图中Ti/Au为肖特基接触,Cr/Au为欧姆接触。零偏压下光响应是0.13A/W,响应时间大约为1uS,光谱响应也为200~365 nm。Chen等人[28]剐改用n-GaN制作了如图1(b)所示的结构,首先在蓝宝石
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