本文将深入探讨MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的Silvaco仿真过程，重点研究其正向导通、反向导通和阈值电压特性，同时关注不同氧化层厚度和P区掺杂浓度对器件性能的影响。Silvaco是一款广泛用于半导体器件建模和模拟的软件，它允许研究人员精确地分析和优化MOSFET的设计。 正向导通是指当MOSFET的栅极电压高于阈值电压时，器件内部形成导电沟道，允许电流流动。反向导通则指在反向偏置条件下，MOSFET呈现高阻态，阻止电流通过。阈值电压是MOSFET工作中的关键参数，它决定了器件从截止状态转变为导通状态的转折点。阈值电压受多种因素影响，包括P区掺杂浓度、沟道宽度以及氧化层厚度等。 在实验设计中，P区的宽度被设定为10微米，结深为6微米，而氧化层的厚度则设定为0.1微米。氧化层左侧定义为空气材质，所有电极均无厚度，且高斯掺杂的峰值位于表面。器件的整体宽度为20微米，N-区采用均匀掺杂，P区采用高斯掺杂，顶部和底部的N+区的结深和宽度有特定范围。为了研究阈值电压，Drain和Gate需要短接，这样可以通过逐渐增加栅极电压来观察器件何时开始导通，从而确定阈值电压。 在仿真过程中，N-区的掺杂浓度被设定为5e13，通过计算得出N-区的长度为31微米，以满足600V的阻断电压要求。此外，P区的厚度、氧化层的厚度、N+区的厚度以及整体厚度也被精确设定。这些参数的选择是为了确保器件在不同条件下的稳定性和性能。 在正向阻断特性的仿真中，N-区作为主要的耐压层，当超过最大阻断电压时，器件电流会迅速上升。而在正向导通状态下，通过施加超过阈值电压的栅极电压，P区靠近氧化层的位置会形成反型层，使器件导通。阈值电压的仿真则涉及逐步增加栅极电压，观察电流变化，找出器件开始导通的电压点。 源代码部分展示了如何设置atlasmesh网格以优化仿真精度，尤其是在关键区域（如沟道和接触区域）的网格细化，这有助于更准确地捕捉器件内部的电荷分布和电流流动。 通过Silvaco软件对MOSFET的实验仿真，我们可以深入了解MOSFET的工作原理，优化其设计参数，特别是氧化层厚度和P区掺杂浓度，以提升器件的开关性能和耐压能力。这种仿真方法对于微电子学和集成电路设计领域具有重要意义，因为它能够预测和改善MOSFET的实际工作特性，从而在实际应用中实现更好的电路性能。

Cr、Mn以及Fe掺杂对Heusler合金Co2VAl电子结构与磁性的调控，方孙，戴晨盼，本研究采用第一性原理的方法对不同成分配比的四元Heusler合金Co2V1-xCrxAl、Co2V1-xMnxAl 及Co2-xFexVAl(x=0、0.25、0.5)的形成能、晶格常数、电子�

应用溶胶法制备出5种不同原子数比的Pt-Ru-Ni/C样品,用X射线衍射光谱(XRD)、X光电子能谱(XPS)表征催化剂的晶相结构、表面组成及价态形式。在碱性条件下,采用循环伏安法测试催化剂电催化氧化甲醇的活性。结果表明,掺杂Ni可提高Pt-Ru/C催化活性,Ni在Pt-Ru-Ni合金中的原子数分数与其催化活性呈火山形关系,其中Pt5-Ru4-Ni0.7/C的活性最高,在1.0 mol/L NaOH溶液+1.0 mol/L CH3OH溶液中峰电流密度达842.2 mA/mg,甲醇起始氧化电位比Pt5-Ru5/C的低约0.16 V,在甲醇浓度较低时,甲醇反应级数为0.58级。

La掺杂Mg合金力学性能第一性原理计算，何亚蒂，王轶农，本文通过采用第一性原理，计算分析了再纯Mg结构中置换固溶入少量的La元素后，对Mg金属力学性能的影响。文章首先分析了合金的存在性

退火对Cr掺杂Heusler合金Ni-Mn-In马氏体相变行为的影响，于淑云，韦佳佳，本文采用X射线衍射、交流磁化率以及磁化强度的测试研究了不同温度退火对Ni50Mn31.5Cr2In16.5铁磁形状记忆合金马氏体相变行为的影响。研�

采用电泳沉积法在Ti片上制备TiN薄膜,在450℃下保温60min制备N掺杂TiO2薄膜（N-TiO2薄膜）,然后在不同浓度的AgNO3溶液中利用光还原沉积法制备负载Ag的N-TiO2薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）对薄膜进行表征,通过测试瞬态光电流密度研究薄膜的光电性能,并以罗丹明B为降解目标物评价薄膜的光催化活性,重点研究了负载Ag对N-TiO2薄膜光电和光催化性能的影响规律。结果表明:AgNO3溶液浓度为0.05mol·L-1时,Ag的负载量最为适宜,N-TiO2薄膜的光电及光催化性能最佳;负载Ag的N-TiO2薄膜在可见光下的瞬态光电流密度约为N-TiO2薄膜的5.4倍;负载Ag显著提高了N-TiO2薄膜的光催化性能,经过可见光照射180min后,薄膜对罗丹明B的降解率达到98%。

Mn掺杂纳米TiO2的制备及其光催化性能，尼东，张亚平，本文采用水热法，用Ti(OC4H9)4 和 MnC2O4oH2O作为前躯体，制备Mn掺杂的纳米TiO2催化剂Mn-TiO2。该催化剂为20nm的球体，尺寸分布均匀，且无需煅

为了提高TiO2光催化剂日光催化性能及解决催化剂回收问题,采用微乳液法制备了La3+、Fe3+、Co2+、Ce4+共掺杂TiO2/粉煤灰微珠光催化剂,用紫外-可见分光光度计测定了光催化剂的可见光吸收性能,用能谱仪(EDS)分析了催化剂的元素含量,以甲基橙为模型污染物考察了催化剂的光催化性能。实验结果表明:掺杂复合粒子在可见光区吸光性能均高于TiO2/漂珠;且多元素掺杂有协同作用,催化剂的吸收边带红移更多,对可见光的吸收也更强。日光照射下(,Co2+,Fe3+,Ce4+)三元共掺杂催化剂的活性≈(La3+,Ce4+)二元共掺杂催化剂的活性>Fe3+、La3+单掺杂催化剂的活性。

掺杂Nb2O5对Ba0.92Sr0.08Ti0.95Sn0.05O3介质瓷结构及性能的影响，曲远方，王晓凤，研究了以Nb2O5为掺杂剂的无铅铁电陶瓷Ba0.92Sr0.08Ti0.95Sn0.05O3 (BSTS)的显微结构以及介电性能。X衍射结果表明所有的BSTS试样都形成了单一的�

掺杂铬（Cr）的氧化锌ZnO薄膜通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在420°C的温度下以不同的掺杂剂浓度沉积在玻璃基板上。 研究了铬浓度对薄膜的形态，结构，光学，电学和气敏性能的影响。 扫描电子显微镜结果表明，Cr的浓度对结晶度，表面光滑度和晶粒尺寸有很大的影响。 X射线衍射（XRD）研究表明，薄膜本质上是多晶的，并以六方纤锌矿结构生长。 从光学测量获得3.32至3.10 eV的直接光学带能隙。 发现透射率随着Cr掺杂浓度的增加而降低。 卢瑟福背散射光谱（RBS）分析还表明，Cr离子可替代地掺入ZnO中。 薄膜的IV特性显示，室温下的电阻率范围为1.134×10-2·cm至1.24×10-2·cm。 通过在最佳工作温度约为200°C的条件下掺入Cr作为掺杂剂，可以增强薄膜的气体传感响应。