忆阻器是具有记忆和连续输出特点的非线性电阻器，现已成为电路中的第 ４ 种基本元件。 以一个三次光滑的非线性忆阻器模型为基础，与常见的有源低通滤波器相结合，利用电路分析的基本理论，分析该电路的频率响应特性，并与有源 ＲＣ 电路进行对比，对含有忆阻器的有源低通滤波电路进行电路仿真，其结果很好地验证了理论分析。

根据论文the missing memory found仿真生成v-i图像

忆阻器是磁通与电荷关系的电路器件，利用忆阻器原理实现新型忆阻器芯片的架构，想要更多忆阻器资源、请访问CSDN下载频道

为了解决强耦合问题和控制过程中参数难于调节的问题,提出了基于忆阻的自适应单神经元多变量解耦PID控制器,根据传统控制器的结构和原理,构建了两变量解耦控制器的结构。分析了两变量解耦控制器的性能,给出了实验仿真结果。通过实验结果,发现这个新的两变量解耦控制器具有较高的控制可靠性、较好的适应性,比传统的控制器学习速度快。最后得到了一个理想的、自适应、自组织的多变量解耦控制器,并获得了较好的控制效果。

使用 MATLAB 对纳米级 ReRAM 单元进行操作分析

基于超混沌忆阻器的蔡氏电路的同步与滞后同步

Matlab忆阻器memristor-Matlab_memristor2.pdf 作为Matlab初学者，好多东西要学习。 源代码可以实现忆阻器的I-V曲线，但显然不够灵活，必须手动调整参数。 现在想将其中的参数ratio，v0，ω0变成可调节范围的， 还不知道怎样做，如果将参数直接放入方程不知能解不， 如果能解，在获得结果s后，怎样把参数换成数值，貌似subs函数，只能替换t。 希望有心人一起扩展此程序，在网上有mathematica实现的例子 http://demonstrations.wolfram.com/CurrentVoltageCharacteristicsOfAMemristor/ 我的下一步是做GUI，并实现动画。希望做的更好。

忆阻器，即第四电路元件，是Chua在1971年从理论上预测的，并已于2008年实现。但是，随着忆阻器的广泛应用，传统的忆阻器模型面临着更多的挑战，例如实用性，准确性和灵活性。 本文提出了一种基于公认的经典Simmons隧道模型的准确而灵活的阈值自适应忆阻器（TEAM）模型，该模型考虑了焦耳热效应引起的离子扩散。使用改进的控制方法进行存储。 结果表明，该方法提高了非易失性忆阻图像处理中并行处理的效率。

忆阻器的广义数学模型

基于忆阻器的连续学习混沌神经网络