图1   TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟 　　图1（a）模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线，三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1WZcm2、25w/cm2，光波长为0.85gm时工作二极管的响应电流，以二极管面积为20×20 ptm＇计算，输入光功率分别为4 pW（-23 dBm）和100 pW（-10 dBm），图中可见无光照的响应电流（对应暗电流）约为10-15A数量级，光照强度为1 Wcm2时产生0.16 μtA光电流，响应度为0.04 A/W。光照强度为25 W；cm＇时产生4.8 pA光电流，响应度为0.048 A/W。后者完够满足CMO

AMPS是由美国宾西法尼亚州立大学电子材料工艺研究实验室提供的一维固体器件模拟软件。 AMPS采用牛顿－拉普拉斯方法在一定边界条件下数值求解联立的泊松方程、电子和空穴的连续性方程，可以用来计算光伏电池、光电探测器等器件的结构与输运物理特性

半导体器件模拟isetcad中的 DESSIS使用部分，内部培训教程

关于声表面波的书，桥本

计算微电子学是结合了固体物理和无线电技术的一门新兴的边缘性技术学科，本书具体介绍了半导体器件从设计到制造工艺的全过程，是一本很好的自学教材

静电放电ESD保护器件的模拟与仿真

图1   TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟 　　图1（a）模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线，三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1WZcm2、25w/cm2，光波长为0.85gm时工作二极管的响应电流，以二极管面积为20×20 ptm＇计算，输入光功率分别为4 pW（-23 dBm）和100 pW（-10 dBm），图中可见无光照的响应电流（对应暗电流）约为10-15A数量级，光照强度为1 Wcm2时产生0.16 μtA光电流，响应度为0.04 A/W。光照强度为25 W；cm＇时产生4.8 pA光电流，响应度为0.048 A/W。后者完全能够满足C

做半导体器件的人值得一看，详细的半导体器件模型和模拟的分析

随着半导体技术不断发展和制作工艺的不断进步，半导体器件开始进入纳米时代。由小尺寸化带来的物理效应，如量子效应等在大规模及超大规模集成电路中产生的影响开始变得不可忽略。传统的数值模拟模型，如漂移扩散模型和流体力学模型求解小尺寸半导体器件越来越不准确。蒙特卡罗法作为一种模拟粒子运动的数值方法开始广泛运用于半导体器件的模拟研究。蒙特卡罗法是利用随机数对物理过程进行模拟的方法，该方法在物理、数学、化学等领域具有广泛应用。本文研究了蒙特卡罗模拟半导体器件内部载流子运动的原理，设计程序模拟半导体器件。设计过程中采用矩形网格对器件结构进行划分，用有限差分法对载流子在空间上进行离散，电荷分配则采用单位云(CIC)方法。

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