利用PSpice仿真的双脉冲测试电路来评估SiC MOSFET和IGBT开关特性的方法。首先解释了双脉冲测试电路的基本概念及其重要性，接着描述了仿真电路的具体结构，包括驱动电路、被测器件（SiC MOSFET和IGBT）及测量设备。文中还提供了简化的代码示例，展示了如何通过调整参数来模拟不同的开关条件，从而获取有关开关速度、损耗等性能指标的数据。最后讨论了该电路在优化驱动电路设计和评估不同功率半导体器件性能方面的应用价值。 适合人群：从事电力电子领域的研究人员和技术人员，尤其是那些需要进行功率半导体器件性能评估的人群。 使用场景及目标：①研究和开发新型功率半导体器件；②优化现有器件的驱动电路设计；③评估器件在各种工况下的性能表现，确保系统高效可靠运行。 其他说明：文中提到的双脉冲测试电路不仅限于理论分析，还可根据具体需求进行硬件定制，进一步提升其实用性和灵活性。

模拟了MOSFET的体二极管反向恢复特性，对比了两种MOS模型的特性

双脉冲机动策略 Double Impulse Maneuver；双脉冲机动策略 Double Impulse Maneuver

利用DSP28335的例程修改成双脉冲测试程序。双脉冲时间可以进行修改调节。

圆型限制性三体问题中双脉冲地月转移轨道设计研究

IGBT测试方法，评估IGBT的特性，选择门极电阻，评估驱动板

英飞凌公司的双脉冲测试手册

电动汽车IGBT模块的双脉冲测试方法.pdf

双脉冲测试，是设计IGBT驱动时必须要做的实验，本文详细介绍了测试方法。

本书讲解了普拉动 IGBT双脉冲测试方法、流程及测试数据分析等，通俗易懂！