平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸还伴随高栅极和输出电荷，这会增加开关损耗和成本。另外还存在对于总硅片电阻能够达到多低的限制。器件的总RDS(on)可表示为通道、epi和衬底三个分量之和：RDS(on) = Rch + Repi + Rsub图1：传统平面式MOSFET结构图2显示平面式MOSFET情况下构成RDS(on) 的各个分量。对于低压MOSFET，三个分量是相似的。但随着额定电压增加