VLSI设计基础 李伟华（清晰pdf）

本教材介绍了五个方面的内容：MOS器件基本原理以及主要的特性，VLSI中逻辑结构的主要设计方法，用于VLSI系统的模拟集成单元设计方法，VLSI 的测试问题与相关技术，VLSI设计系统及其组成。涉及了五个方面的基础知识：MOS器件基础知识，半导体工艺基础知识，集成电路版图基础知识，逻辑、电路设计基础知识和CAD基础知识。 《VLSI 设计基础》作为VLSI设计基础教材，注重相关理论的结论和知识的应用。可作为本科生教材和研究生参考书。 第1章 VLSI设计基础概述 1.1 VLSI设计技术基础与主流制造技术 1.2 VLSI设计方法与设计技术 1.3 新技术对VLSI的贡献 1.4 ASIC和VLSI 1.5 SOC 1.6 VLSI的版图结构和设计技术 1.6.1 VLSI的版图总体结构 1.6.2 VLSI版图的内部结构 第2章 MOS器件与工艺基础 2.1 MOS晶体管基础 2.1.1 MOS晶体管结构及基本工作原理 2.1.2 MOS晶体管的阈值电压VT 2.1.3 MOS晶体管的电流-电压方程 2.1.4 MOS晶体管的平方律转移特性 2.1.5 MOS晶体管的跨导gm 2.1.6 MOS晶体管的直流导通电阻 2.1.7 MOS晶体管的交流电阻 2.1.8 MOS晶体管的最高工作频率 2.1.9 MOS晶体管的衬底偏置效应 2.1.10 CMOS结构 2.2 CMOS逻辑部件 2.2.1 CMOS倒相器设计 2.2.2 CMOS与非门和或非门的结构及其等效倒相器设计方法 2.2.3 其他CMOS逻辑门 2.2.4 D触发器 2.2.5 内部信号的分布式驱动结构 2.3 MOS集成电路工艺基础 2.3.1 基本的集成电路加工工艺 2.3.2 CMOS工艺的主要流程 2.3.3 Bi-CMOS工艺技术 第3章 工艺与设计接口 3.1 工艺对设计的制约与工艺抽象 3.1.1 工艺对设计的制约 3.1.2 工艺抽象 3.2 设计规则 3.2.1 几何设计规则 3.2.2 电学设计规则 3.2.3 设计规则在VLSI设计中的应用 第4章 晶体管规则阵列设计技术 4.1 晶体管阵列及其逻辑设计应用 4.1.1 全NMOS结构ROM 4.1.2 ROM版图 4.2 MOS晶体管开关逻辑 4.2.1 开关逻辑 4.2.2 棒状图 4.3 PLA及其拓展结构 4.3.1 “与非-与非”阵列结构 4.3.2 “或非-或非”阵列结构 4.3.3 多级门阵列(MGA) 4.4 门阵列 4.4.1 门阵列单元 4.4.2 整体结构设计准则 4.4.3 门阵列在VLSI设计中的应用形式 4.5 晶体管规则阵列设计技术应用 第5章 单元库设计技术 5.1 单元库概念 5.2 标准单元设计技术 5.2.1 标准单元描述 5.2.2 标准单元库设计 5.2.3 输入、输出单元（I/O PAD） 5.3 积木块设计技术 5.4 单元库技术的拓展 第6章 微处理器 6.1 系统结构概述 6.2 微处理器单元设计 6.2.1 控制器单元 6.2.2 算术逻辑单元（ALU） 6.2.3 乘法器 6.2.4 移位器 6.2.5 寄存器 6.2.6 堆栈 6.3 存储器组织 6.3.1 存储器组织结构 6.3.2 行译码器结构 6.3.3 列选择电路结构 第7章 测试技术和可测试性设计 7.1 VLSI可测试性的重要性 7.2 测试基础 7.2.1 内部节点测试方法的测试思想 7.2.2 故障模型 7.2.3 可测试性分析 7.2.4 测试矢量生成 7.3 可测试性设计 7.3.1 分块测试 7.3.2 可测试性的改善设计 7.3.3 内建自测试技术 7.3.4 扫描测试技术 第8章 模拟单元与变换电路 8.1 模拟集成电路中的基本元件 8.1.1 电阻 8.1.2 电容 8.2 基本偏置电路 8.2.1 电流偏置电路 8.2.2 电压偏置电路 8.3 放大电路 8.3.1 单级倒相放大器 8.3.2 差分放大器 8.3.3 源极跟随器 8.3.4 MOS输出放大器 8.4 运算放大器 8.4.1 两级CMOS运放 8.4.2 CMOS共源-共栅（cascode）运放 8.4.3 带有推挽输出级的运放 8.4.4 采用衬底晶体管输出级的运放 8.5 电压比较器 8.5.1 电压比较器的电压传输特性 8.5.2 差分电压比较器 8.5.3 两级电压比较器 8.6 D/A、A/D变换电路 8.6.1 D/A变换电路 8.6.2 A/D变换电路 8.