上传者: www00
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上传时间: 2025-11-28 16:05:52
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本文介绍用于X和Ku波段的射频MEMS电容开关的设计、 fabrication与性能表征。通过电感调谐技术提升隔离度与Q因子,采用高阻硅基底与五步光刻工艺实现器件制造。实验结果显示,在8–18 GHz频段内,插入损耗优于0.5 dB,隔离度超过–40 dB,驱动电压为18.5 V。创新性地利用折叠梁与接地凹槽结构增强电感,实现频率选择性调谐,适用于相控阵天线与可重构射频系统。研究还探讨了介质充电对可靠性的影响,并提出Al2O3/ZnO合金介质层的解决方案。该成果为高频通信系统中的高性能开关提供了实用化路径。