Smartcut智能剥离技术-集成电路制造技术——原理与工艺---第六章离子注入
Smartcut智能剥离技术
Smartcut技术是法 国 公 司 的 M.Bruel 等提 出 的 ,其原理 是利用H+注入在Si 片中形成气泡层 ,将注氢片 与另 一 支撑 片键合(两 个硅 片 之 间至少一 片的表面要有热氧化 SiO2覆盖层 ,经适 当 的热 处 理 使注氢片从气泡层完整裂开 ,形成 SOI结构.
SmartCut技术是一种较理想 的 SOI制备技术
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