CMOS电路中闩锁必须满足以下几个条件-闩锁效应与天线效应
CMOS电路中闩锁，必须满足以下几个条件
(1) 电路要能进行开关转换,其相关的PNPN结构的回路增益必须大于1即 βnpn*βpnp >1，在最近的研究中,把闩锁产生的条件用寄生双极晶体管的有效注入效率和小信号电流增益来表达。
(2) 必须存在一种偏置条件，使两只双极型晶体管导通的时间足够长，以使通过阻塞结的电流能达到定义的开关转换电流的水平。一般来说，双极管的导通都是由流过一个或两个发射极/基极旁路电阻的外部激发电流所引起的。
(3) 偏置电源和有关的电路，必须能够提供至少等于PNPN结构脱离阻塞态所需开关转换电流和必须能提供至少等于使其达到闩锁态的保持电流。
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