平面型(NPN)三极管制作工艺-模拟电子技术

模拟电子

平面型(NPN)三极管制作工艺　　在 N 型硅片(集电区)氧化膜上刻一个窗口，将硼杂质进行扩散形成 P 型(基区)，再在 P 型区上刻窗口，将磷杂质进行扩散形成N型的发射区。引出三个电极即可。　　合金型三极管制作工艺：在 N 型锗片(基区)两边各置一个铟球，加温铟被熔化并与 N 型锗接触，冷却后形成两个 P 型区，集电区接触面大，发射区掺杂浓度高。 N c SiO2 b 硼杂质扩散 e 磷杂质扩散磷杂质扩散磷杂质扩散硼杂质扩散硼杂质扩散 P N

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