论文研究-一种基于65nm CMOS工艺的27.8KS/s, 0.35V，10位逐次逼近A/D转换器 .pdf
一种基于65nm CMOS工艺的27.8KS/s, 0.35V，10位逐次逼近A/D转换器，朱樟明，邱政，设计实现了一款10位27.8KS/s 0.35V超低功耗逐次逼近型(SAR ) A/D转换器。提出了一种分段的三基准电容开关时序，有效地减小了电容D/A转换器�
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