上传者: 38715831
|
上传时间: 2021-11-19 18:34:51
|
文件大小: 62KB
|
文件类型: -
电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件,丰富了其低Vce(sat)双极结晶体管(BJT)产品系列。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET相比,不仅实现了能效的最大化,而且还延长了电池的使用寿命。最新的低Vce(sat) BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多种封装形式,非常适用于多种便携式应用。
安森美半导体最新推出的NSSxxx低Vce(sat)表面贴装器件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1A时,该器件可提供4