基于SOI的2×2 MMI耦合器的设计

上传者: 38714641 | 上传时间: 2023-03-21 15:54:43 | 文件大小: 3.73MB | 文件类型: PDF
设计了一种可用于阵列波导光栅(AWG)解调集成微系统的绝缘体上硅(SOI)基2×2多模干涉(MMI)耦合器,用光束传播法(BPM)对MMI耦合器进行了模拟。耦合器输入/输出波导采用倒锥形,多模干涉区尺寸为6 μm×57 μm。在TE偏振中心波长为1.55 μm时,器件附加损耗为0.46 dB,不均匀性为0.06 dB。在1.49~1.59 μm波长范围内耦合器的附加损耗小于1.55 dB。仿真结果表明所设计的2×2 MMI耦合器体积小、附加损耗低、波长响应范围宽、分光均匀,符合片上集成系统的要求。

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