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量子阱数变化的InGaN / GaN发光二极管的瞬态分析
量子阱数变化的InGaN / GaN发光二极管的瞬态分析
上传者:
38703123
|
上传时间: 2022-06-27 15:46:49
|
文件大小: 301KB
|
文件类型: PDF
InGaN;
LED;
circuit
model;
建立了InGaN / GaN发光二极管(LED)静态和动态行为的速率方程模型,并在SPICE电路仿真器上实现了该模型。 通过将模拟结果与报告的实验数据进行拟合,获得了模型的参数。 通过改变有源区中量子阱的数量,对InGaN LED的瞬态响应进行了比较研究。 仿真表明,光功率的上升时间随阱数的增加而增加,由三个量子阱组成的有源区是最优化的结构。
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