硅的本地氧化（LOCOS）
称为硅的本地氧化（LOCOS）的技术能实现厚氧化层选择性生长。（8 “LOCUS: A New I.C. Technology,” Microelectronics and Reliability, Vol. 10,1971, pp.471-472）这个工艺开始于薄pad oxide的生长，它能保护硅表面不受接下来的机械压力影响。（图2.14）。化学气相沉积在pad oxide的顶部产生一层氮化膜。这个氮化物被蚀刻后使该区域选择性的氧化。氮化物阻碍了氧和水分子的扩散，所以只在氮化物开口处有氧化。有些氧化剂能扩散到氮化物边缘下的一小段距离，产生了一个弯曲的过渡区域，叫做bird’s beak。（
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