低功耗带隙基准电压源电路设计
文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18 μm的标准CMOS工艺，华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明，在tt工艺角下电路的启动时间为6.64 μs，稳定输出的基准电压Vref为 567 mV；当温度在-40℃~125℃范围内时，tt工艺角下基准电压Vref的温度系数TC为18.8 ppm/℃；电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时，tt工艺角下基准电压Vref的线性度为2 620 ppm/V；在10 Hz~1 kHz带宽范围内，tt工艺角下基准电压Vref的电源抑制比(PSRR)为51 dB；版图核心面积为0.001 95 mm2。
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