如何降低开关电源电路EMI

开关电源小型化设计中，提高开关频率可有效提高电源的功率密度。但随着开关频率提升，电路电磁干扰（EMI）问题使电源工程师面临了更大的挑战。本文以反激式开关拓扑为例，从设计角度，讨论如何降低电路EMI。为提高开关电源的功率密度，电源工程师首先想到的办法是选择开关频率更高的MOSFET,通过提高开关速度可以显著地减小输出滤波器体积，从而在单位体积内可实现更高的功率等级。但是随着开关频率的提高，会带来EMI特性的恶化，必须采取有效的措施改善电路的EMI特性开关电源的功率MOSFET安装在印制电路板上，由于印制电路板上MOSFET走线和环路存在杂散电容和寄生电感，开关频率越高，这些杂散电容和寄生电感更加不能够忽略。由于MOSFET上的电压和电流在开关时会快速变化，快速变化的电压和电流与这些杂散电容和寄生电感相互作用，会导致电压和电流出现尖峰，使输出噪声明显增加，影响系统EMI特性。

由1-1和1-2式可知，寄生电感和di/dt形成电压尖峰，寄生电容和dv/dt形成电流尖峰。这些快速变化的电流和关联的谐波在其他地方产生耦合的噪声电压，因此影响到开关电源EMI特性。下面以反激式开关拓扑为例，对