NAND闪速存储器的内部结构
TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大，则块数也将增加，但内部的基本结构没有改变。
图 TC58V64的内部结构
NAND闪速存储器的特点 ①按顺序存取数据； ②存储器内部以块为单元进行分割，而各块又以页为单位进行分割；
③以块为单位进行擦除操作； ④以页为单位进行编程（写人）； ⑤页的大小存在尾数（TC28V64是roodZJ字节）； ⑥也存在有坏块（bad block）的产品。 以NAND闪速存储器为主的用途是类似硅盘那样的文件保存器件。所谓的528写入页大小，就是在512字节（相当于一般的硬盘扇区大小）上增加了16字节的冗余数据字
图 TC58V64的内部结构
NAND闪速存储器的特点 ①按顺序存取数据； ②存储器内部以块为单元进行分割，而各块又以页为单位进行分割；
③以块为单位进行擦除操作； ④以页为单位进行编程（写人）； ⑤页的大小存在尾数（TC28V64是roodZJ字节）； ⑥也存在有坏块（bad block）的产品。 以NAND闪速存储器为主的用途是类似硅盘那样的文件保存器件。所谓的528写入页大小，就是在512字节（相当于一般的硬盘扇区大小）上增加了16字节的冗余数据字
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