单片机驱动继电器电路设计

上传者: 38622149 | 上传时间: 2021-06-19 20:35:27 | 文件大小: 117KB | 文件类型: PDF
手上有一个HFD23的5V继电器,下面看一下其参数。可以看出:线圈的电阻为125Ω;线圈的功率为200mW;继电器的额定电压为5V;由此可以计算出继电器的吸合电流,两种计算方式:I=0.2mW/5V=40mA;I=5V/125Ω=40mA;下面看三极管的参数:

参数解释如下:PCM是集电极最大允许耗散功率;ICM是集电极最大允许电流;BV(CEO)是三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压;fT是特征频率;hFE是放大倍数;为了保证电路的稳定性,要求:三极管的PCM功率至少是继电器额定功率的两倍,PCM≥0.4W;三极管的ICM电流至少是继电器吸合电流的两倍,ICM≥80mA;三极管的BV耐压至少是继电器额定电压的两倍,BV≥10V;由此可以看出这四款三极管都能满足需求,为了稳定性考虑,我们选用NPN的S8050。控制电路图如下所示:

思考:在实际应用中,上图会不会存在问题?由于继电器的线圈是感性器件,变化的电流通过线圈时线圈会产生自感电动势,根据法拉第定律,自感电动势的大小与通过线圈的电流变化率(线圈内磁通变化率)成正比。所以当断开电源瞬间电流变化率很大,线圈将产生高

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