从第一性原理计算得出的半氟化GaN片材的磁性能

first principles calculations; GaN

基于第一原理自旋极化密度泛函理论计算，研究了半氟化氮化镓（GaN）片材的相对稳定性，电子结构和磁性能。最稳定的构型显示出铁磁（FM）基态，每个氟的磁矩约为1.0μB。半金属铁磁性主要归因于电荷从N原子转移到F原子。氟化导致N-2pz态和不饱和F-2p轨道不成对的自旋。空穴介导的双交换负责GaN片中的铁磁性。此外，仅氟化Ga边缘的GaN纳米带（GaNNRs）为FM。这开辟了一条通往无金属磁性材料的道路，这种材料具有制造自旋电子器件和纳米磁铁的巨大可能性。

文件下载

评论信息

其他资源

免责申明

【只为小站】的资源来自网友分享，仅供学习研究，请务必在下载后24小时内给予删除，不得用于其他任何用途，否则后果自负。基于互联网的特殊性，【只为小站】无法对用户传输的作品、信息、内容的权属或合法性、合规性、真实性、科学性、完整权、有效性等进行实质审查；无论【只为小站】经营者是否已进行审查，用户均应自行承担因其传输的作品、信息、内容而可能或已经产生的侵权或权属纠纷等法律责任。
本站所有资源不代表本站的观点或立场，基于网友分享，根据中国法律《信息网络传播权保护条例》第二十二条之规定，若资源存在侵权或相关问题请联系本站客服人员，zhiweidada#qq.com，请把#换成@，本站将给予最大的支持与配合，做到及时反馈和处理。关于更多版权及免责申明参见版权及免责申明

从第一性原理计算得出的半氟化GaN片材的磁性能

文件下载

评论信息

其他资源

免责申明

个人信息

相关资源标签

热门下载

最新下载