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N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究 (2004年)
N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究 (2004年)
上传者:
38552536
|
上传时间: 2022-01-05 20:58:41
|
文件大小: 158KB
|
文件类型: -
工程技术
论文
选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路。nMOS和pMOS的驱动电流都比较大,且泄漏电流很小,在工作电压为3V时,1.2μm 101级环振的单级延迟仅为50.5ps。
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