GaN基肖特基结构紫外光电探测器
GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性，即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失，此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下，GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。支GaN基肖特基紫外光电探测器于1993年被提出四，它具有如图1（a）所示的结构：它也是在蓝宝石衬底上外延生长GaN，通过掺杂Mg实现P型掺杂，再淀积电极形成肖特基势垒和欧姆接触，图中Ti/Au为肖特基接触，Cr/Au为欧姆接触。零偏压下光响应是0.13A/W，响应时间大约为1uS，光谱响应也为200～365 nm。Chen等人[28]剐改用n-GaN制作了如图1（b）所示的结构，首先在蓝宝石
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