SOI的发展和特点
绝缘体上硅(SOI)技术已有30多年的历史，它开始于20世纪60年代的蓝宝石上异质外延硅(SOS)。SOI技术的发展可以分为3个阶段[27~29]：第一阶段是在20世纪60年代，蓝宝石上异质外延硅（SOS）技术制备SOI材料，用于开发微处理器电路；第二阶段出现在20世纪80年代初期，提出了在硅衬底上离子注入氧原子，再经过高温退火使氧与硅原子发生反应生成一层SiO2，SiO2上面是一层很薄的硅层，这就是注氧隔离技术（SIMOX）, 主要开发了作为抗辐射器件的SRAM；第三阶段在20世纪80年代中期,提出了键合SOI技术,这一技术一直延伸发展到目前。由于SOI材料具有高压、抗辐射、低泄漏和寄生效应
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