载流子迁移率测量方法总结

上传者: 38518518 | 上传时间: 2021-12-03 20:34:35 | 文件大小: 100KB | 文件类型: -
0 引言
  迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数,它决定半导体材料的电导率,影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究,但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。
  1 迁移率μ的相关概念
  在半导体材料中,由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动,当外加电压时,导体内部的载流子受到电场力作用,做定向运动形成电流,即漂移电流,定向运动的速度成为漂移速度,方向由载流子类型决定。在电场下,载流子的平均漂移速度v与电场强度E成正比为:


  式中μ为载流子的漂移迁移率,简称迁移率,表示单位电场流子的平均漂移速度,单位是m2/V·s或cm2/V·

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