开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路

上传者: 38508126 | 上传时间: 2021-11-19 16:11:47 | 文件大小: 67KB | 文件类型: -
对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。(即要限制主MOS管反峰,又要RCD吸收回路功耗)
    在讨论前我们先做几个假设:
  ① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ;
  ② RCD中的二极管正向导通时间很短(一般为几十纳秒);
  ③ 在调整RCD回路前主变压器和MOS管,输出线路的参数已经完全确定。
  有了以上几个假设我们就可以先进行计算:
  一﹑首先对MOS管的VD进行分段:
  ⅰ,输入的直流电压VDC;
  ⅱ,次级反射初级的VOR;
  ⅲ,主MOS管VD余

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