忆阻器突触

上传者: w3178 | 上传时间: 2021-12-31 14:18:02 | 文件大小: 635KB | 文件类型: -
忆阻器,全称记忆电阻。最早提出忆阻器概念的人是华裔的科学家蔡少棠,时间是 1971 年。2013年,比勒菲尔德大学物理学系的高级讲师安迪·托马斯博士研制的忆阻器被内置于比人头发薄600倍的芯片中,利用这种忆阻器作为人工大脑的关键部件,他的研究结果将发表在《物理学学报D辑:应用物理学》杂志上。

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