内存时序 详细谈降内存时序对性能的影响

上传者: vs188 | 上传时间: 2024-01-01 22:37:11 | 文件大小: 64KB | 文件类型: DOC
内存时序   一种参数,一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间,他是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间。Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节,在大部分主板的BIOS中可以设定,内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组,在同样频率设定下,最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能,幅度在3至5个百分点

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