STM32G474 Flash读写 仿LL库写的，仅供参考

STM32G474是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款基于ARM Cortex-M4内核的微控制器，属于STM32G4系列。该系列芯片拥有高速处理能力和丰富的外设接口，广泛应用于嵌入式系统设计。在STM32G474中，Flash存储器是重要的组成部分，它用于存储程序代码、配置数据和用户数据。本文将详细讲解STM32G474的Flash读写操作，并基于描述中提到的"仿LL库"进行解析。 STM32的Low Layer (LL)库是一种轻量级的底层驱动库，提供接近硬件层的API函数，以简化开发者对特定外设的操作。LL库通常比HAL库更加灵活且效率更高，适合对性能有较高要求的应用。在STM32G474的Flash读写中，`stm32g4xx_ll_flash.c`和`stm32g4xx_ll_flash.h`文件包含了相关的LL库函数定义和实现。 1. **Flash读操作**： - `LL_FLASH_ReadWord(uint32_t Address)`: 这个函数用于读取Flash中的32位数据。Address参数为要读取的Flash地址。 - 在实际应用中，可以使用这个函数来读取已编程的程序代码或存储在Flash中的配置数据。 2. **Flash写操作**： - `LL_FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)`: 此函数用于写入32位Data到Flash的指定Address。在写入前，必须确保该地址没有被保护，并且满足最小编程单位（一般为4字节）的要求。 - 写入操作通常包括擦除和编程两个步骤。在STM32G474中，Flash的擦除是以页为单位进行的，每页大小通常为2K字节。`LL_FLASH_ErasePage(uint32_t PageAddress)`函数用于擦除指定页。 3. **Flash编程和验证**： - `LL_FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FlashRegion)`: 为了防止意外修改Flash内容，可以启用写保护功能。 - `LL_FLASH_IsOperationReady(void)`: 检查Flash操作（如编程或擦除）是否完成，避免在操作进行时进行其他操作，导致数据损坏。 - `LL_FLASH_OperationErrorGet(void)`: 获取Flash操作错误状态，用于故障排查。 4. **Flash编程策略**： - 由于Flash有一定的寿命限制（编程/擦除次数），因此在编程时需谨慎。建议采用“先擦后写”策略，即在写入新数据前先擦除目标区域。 - 必须确保在写入过程中电源稳定，因为断电可能导致Flash数据丢失或损坏。 5. **异常处理**： - 使用LL库时，需要注意错误处理。例如，如果Flash操作失败，可以通过`LL_FLASH_OperationErrorGet()`获取错误信息，然后采取相应措施，如重试或报告错误。 6. **安全考虑**： - STM32G474提供了安全特性，如Boot Loader区域保护，防止非法程序覆盖。这些特性在开发过程中需要正确配置和利用。 通过`stm32g4xx_ll_flash.c`和`stm32g4xx_ll_flash.h`文件，开发者可以深入了解并掌握STM32G474的Flash管理机制，从而高效地进行固件开发。在实际项目中，根据需求选择合适的数据结构和算法，结合STM32的中断和定时器等资源，可以实现高性能、低功耗的Flash读写操作。