K4X2G323PD-8GD8_90F_8x13_R10_内存.pdf

文件标题“K4X2G323PD-8GD8_90F_8x13_R10_内存.pdf”和描述“K4X2G323PD-8GD8 2Gb D-die Mobile DDR SDRAM 8x13, 90FBGA, 64M x32”中蕴含的IT知识点涉及内存模块规格和特性。这些信息不仅对内存制造和使用至关重要，而且对于理解内存技术的发展及其在计算机系统中的应用也非常有用。 文档中提到的“K4X2G323PD-8GD8”是三星电子（Samsung Electronics）的一款2Gb（Gigabit）容量的DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory）。DDR SDRAM是一种广泛使用的内存类型，它可以在时钟脉冲上升沿和下降沿同时进行数据传输，从而使内存带宽加倍。该特定型号为“D-die”，可能指的是特定的设计或制造批次。 DDR SDRAM的“8x13”可能是指内存模块的物理尺寸，即8mm x 13mm，而“90FBGA”是芯片封装类型，即90引脚的细间距球栅阵列（Fine-pitch Ball Grid Array）。FBGA封装有助于提升信号传输的稳定性和速度，减小了芯片的整体尺寸，对于便携式设备尤为重要。“64M x32”表示该内存芯片的组织结构，意味着它拥有64M（百万位）的行数和32位的数据宽度，因此总共能存储2Gb的数据。 描述中提到的VDD/VDDQ=1.8V/1.8V，说明该内存芯片的工作电压为1.8伏特。这是对内存电源需求的规范，现代低电压设计有助于降低功耗和发热量，对移动设备尤其重要。 在数据表中，对产品的权利声明部分指出三星保留更改产品规格的权利，并不提供任何保证。这意味着任何数据或规格都可能在没有通知的情况下更改，用户需要关注三星官方提供的更新信息。 修订历史部分记录了数据表的不同版本和日期，显示了文档从最初草稿到最终版本的迭代过程。例如，0.0是初始目标规格，而1.0代表最终规格，而0.5、0.9则是中间的草稿版本。另外，列出了DC特性（直流特性）的一些修订，包括不同工作模式下的电流消耗变化，如静态电流（IDD0）从70mA调整到60mA。 接下来的数据表目录包括了该DDR SDRAM的特性和详细功能描述。例如： - 特性部分（FEATURES）可能包含内存的基本属性，如存储容量、接口类型、速度等级以及是否支持特定的低功耗模式等。 - 工作频率（OPERATING FREQUENCY）将明确该内存支持的工作时钟频率范围。 - 地址配置（ADDRESS CONFIGURATION）将说明内存地址线的配置方式，这对于理解内存如何在系统中被访问和管理是关键。 - 订购信息（ORDERING INFORMATION）将提供产品型号标识及其它用于订购的参数，例如速度、封装类型等。 - 功能块图（FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM）和封装信息（PACKAGE INFORMATION）将提供对内存芯片物理布局和内部结构的直观了解。 - 模式寄存器定义（MODE REGISTER DEFINITION）则详细解释了内存中用于控制特定功能（如时序、CAS延迟等）的寄存器设置。 文件内容中提到的“8.1 Mode Register Set (MRS)”和“8.2 Extended Mode Register Set (EMRS)”是内存条中用于优化操作的寄存器设置方法，这些寄存器可以配置内存的许多核心行为，如CAS延迟、突发长度等。“8.3 Internal Temperature Compensated Self Refresh (TCSR)”指出该内存具有内部温度补偿的自刷新功能，这种技术可以在保持数据不丢失的同时，根据温度调节内存的刷新率，以此降低功耗。 由于文档是通过OCR扫描得到的，可能存在个别文字识别错误或遗漏，需要在阅读和使用过程中加以注意并进行适当的人工校正。此外，由于这部分内容描述的是特定的技术文档，其中的参数和信息都是专业性质的，需要一定的电子工程或计算机科学背景才能完全理解。尽管如此，这些信息对于内存制造商、计算机硬件设计师以及需要定制内存规格的系统集成商来说是极其重要的。