AlGaAsGaAs 半导体中光波导的垂直集成
许多 III-V 器件需要暴露埋层以形成金属接触或形成台面结构与同一晶片上的相邻器件进行电隔离，因此蚀刻将始终是关键的制造步骤。湿蚀刻是最容易实施的，因为它们只需要简单的台式玻璃器皿（如果涉及 HF，则需要塑料器皿）。在为任何应用选择特定蚀刻工艺时要考虑的关键问题是速率、均匀性、选择性、关键尺寸控制、特征轮廓和表面损伤，这些都会降低电子特性，从而降低器件性能。
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