InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的湿蚀刻
摘要：在我们的研究中，我们使用通过低压金属有机化学气相沉积在半绝缘、Cr 掺杂、取向的 GaAs 衬底上生长的 InGaP 层。AsH3、PH3、TMGa（三甲基镓）和TMin（三甲基铟）分别用作As、P、Ga 和In 的来源。氢气用作载气，反应器中的总压力为5kPa。外延层在 560°C 下制备，生长速率为 0.6 µm/hr。层的厚度范围从 0.36 到 0.70 µm。各层的标称组成为 In0.485Gao.mP。
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