基于MATLAB/Simulink的SiC MOSFETs器件模型及其在逆变器与电机控制系统级仿真的应用

内容概要：本文详细介绍了基于MATLAB/Simulink平台的SiC MOSFETs器件模型的研究与应用。首先简述了SiC MOSFETs的基本特性和优势，接着重点探讨了如何在MATLAB/Simulink中构建该器件模型，以及它与Simulink自带IGBT/MOSFETs模型的区别。文中强调了No.15 SiC MOSFETs模型能模拟实际器件的非理想特性，如导通电压、开关特性，并能计算导通损耗和开关损耗。最后，文章展示了该模型在逆变器和电机控制系统中的具体应用场景，通过仿真来评估和优化系统性能。 适合人群：对电力电子、电机控制等领域有研究兴趣的专业人士，尤其是从事逆变器和电机控制系统设计的研发人员。 使用场景及目标：适用于希望深入了解SiC MOSFETs器件特性的研究人员和技术人员，旨在帮助他们掌握如何在MATLAB/Simulink中构建和应用SiC MOSFETs模型，以提升系统设计的效率和可靠性。 其他说明：文章不仅提供了理论知识，还包括具体的建模步骤和仿真方法，有助于读者将所学应用于实际项目中。