IGBT驱动与保护电路设计及应用电路实例 周志敏 纪爱华 等编著
2022-03-20 11:50:01 13.64MB 讲义 电路实例
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通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论,介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用.
2022-03-20 11:41:52 542KB MOS|IGBT|元器件
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本文设计了一个可驱动l700v,200~300A的IGBT的驱动电路。硬件上实现了对两个IGBT(同一桥臂)的互锁,并设计了可以直接给两个IGBT供电的驱动电源。
2022-03-20 11:28:53 94KB IGBT 驱动保护电路 电源 文章
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saber中的igbt描述 包括参数设定,和推导过程
2022-03-19 14:49:19 1.08MB saber igbt
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斩波是电力电子控制中的一项变流技术,其实质是直流控制的脉宽调制,因其波形如同斩切般整齐、对称,故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位,它不仅关系到调速的技术性能,而且直接影响设备的运行安全和可靠性,因此。如何选择斩波电路和斩波器件十分重要。   IGBT是近代新发展起来的全控型功率半导体器件,它是由MOSFET(场效应晶体管)与GTR(大功率达林顿晶体管)结合,并由前者担任驱动,因此具有:驱动功率小,通态压降低,开关速度快等优点,目前已广泛应用于变频调速、开关电源等电力电子领域。   就全控性能而言,IGBT是适合斩波应用的器件,而且技术极为简单,几乎IGBT器件本身就构成了斩波
2022-03-15 19:23:32 365KB IGBT在大功率斩波中问题的应用
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高压IGBT集成驱动模块2SD315AI33在IGBT驱动电路中的应用研究
2022-03-14 11:05:57 300KB 2SD315AI-33 IGBT驱动
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IGBT作为电力电子领域的元件之一,其结温Tj高低,不仅影响IGBT选型与设计,还会影响IGBT可靠性和寿命。因此,如何计算IGBT的结温Tj,已成为大家普遍关注的焦点。由基本的计算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知,损耗Ploss和热阻Rth(j-a)是Tj计算的关键。   1. IGBT损耗Ploss计算基础知识                                                                                图1  IGBT导通损耗和开关损耗示意图   如上图1所示,IGBT的损耗Pl
2022-03-13 13:20:33 853KB 如何计算IGBT的损耗和结温?
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本文讨论的短路保护时间是指MOSFET能承受的最长短路时间。在设计短路保护电路时,应考虑硬件及软件的响应时间,以及电流保护的峰值,这些参数都会影响到最终的保护时间。因此,硬件电路设计和软件的编写致关重要。
2022-03-10 16:59:10 117KB MOS|IGBT|元器件
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非常详细的专业手册,详细介绍了IGBT的应用、故障分析等,是初学者和专业人士的必备手册!!!自从IGBT和MOSFET功率模块应用手册首次出版以来,功率模块的应用发生了巨大的变化。这种 变化,源于人类更有效利用石油,减少污染,广泛使用再生新能源的愿望。从一般的发展更新(比如 在体积,成本和转换效率上的发展)到应用领域的扩展(例如在恶劣环境条件下分散使用)对功率半导 体器件生产提出更高的要求。为了使读者有一个更全面的了解,本书增加了赛米控公司三十多年前 在应用手册中对功率二极管和晶闸管(可控硅)的描述和实际的应用。
2022-03-09 11:09:01 9.98MB IGBT 半导体 IGBT手册
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INFINEON公司技术人员总结的由IGBT等功率器件上表面温度估算结温的具体方法。
2022-03-06 22:11:45 193KB IGBT 结温
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