导读：近日， 本文详细分析和探讨了较大功率直流电机驱动电路设计中可能出现的各种问题， 有针对性设计和实现了一款基于25D60-24A 的直流电机驱动电路。 该电路驱动功率大， 抗干扰能力强， 具有广泛的应用前景。 　　该电路采用NMOS场效应管作为功率输出器件， 设计并实现了较大功率的直流电机H 桥驱动电路，并对额定电压为24 伏， 额定电流为3.8A 的25D60-24A 直流电机进行闭环控制， 电路的抗干扰能力强，在工业控制领域具有较强的适用性。许多半导体公司推出了直流电机专用驱动芯片， 但这些芯片多数只适合小功率直流电机， 对于大功率直流电机的驱动， 其集成芯片价格昂贵。 　　在直流

AMOLED显示屏像素驱动电路的设计与实现

三星32英寸液晶屏内置16只灯管，随屏配套的灯管驱动电路板型号为KLS -320VE.该灯管驱动电路由两块BD9884及8组全桥架构功率输出电路组成，如图1所示。功率输出管采用内含N沟道和P沟道的Sp8M3型MOSFET模块。两只SP8M3模块及输出高压变压器T组成一个全桥输出架构电路。变压器初级绕组Ll接功率输出模块，次级高压绕组L2接冷阴极荧光灯管，次级低压绕组L3的感应电压作为取样电压送往BD9884FV的电压检测部分。 　　一、信号流程及工作原理简述 　　当数字板上的CPU发出"背光灯开"指令后，背光灯驱动板上的振荡器开始工作，产生频率约lOOkHz的振荡信号，送入调制器内部，

3.3V-5V电平转换电路 如上图，左端接3.3VCMOS电平，可以是STM32、FPGA等的IO口，右端输出为5V电平，实现3.3V到5V电平的转换。 现在来分析下各个电阻的作用(抓住的核心思路是三极管的Vbe导通时为恒定值0.7V左右)： 假设没有R87，则当US_CH0的高电平直接加在三极管的BE上，>0.7V的电压要到哪里去呢？ 假设没有R91，当US_CH0电平状态不确定时，默认是要Trig输出高电平还是低电平呢?因此R91起到固定电平的作用。同时，如果无R91，则只要输入>0.7V就导通三极管，门槛电压太低了，R91有提升门槛电压的作用(可参见第二小节关于蜂鸣器的分析)。 但是，加了R91又要注意了：R91如果太小，基极电压近似 只有Vb>0.7V时才能使US_CH0为高电平时导通，上图的Vb=1.36V 假设没有R83，当输入US_CH0为高电平(三极管导通时)，D5V0(5V高电平)直接加在三极管的CE级，而三极管的CE，三极管很容易就损坏了。 再进一步分析其工作机理： 当输入为高电平，三极管导通，输出钳制在三极管的Vce，对电路测试结果仅0.1V

因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。的驱动常根据和的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。　　在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、电压、电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。　　当与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接与MOS管就显得尤其重要了。　　一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：　　(1)

为避免常用IGBT驱动模块外围电路复杂，保护功能欠缺，工作稳定性和可靠性不足的缺陷，引入了门极驱动光耦合器HCPL-316J，给出了一种应用HCPL-316J的典型电路，对其结构及工作原理进行了分析，通过实验验证了该器件在IGBT驱动电路中的可靠性和实用性．

本文分析了现有可控硅调光器用于LED驱动时存在的问题，并根据人眼对光线反应非线性的特点，设计了一种利用普通PWM芯片结合外围电路搭建的可控硅非线性调光LED驱动电路，分析了电路在调光过程中的工作特性，实验结果实现0～100%平稳无闪烁调光。

H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电，也就是说绕组有时需正向电流，有时需反向电流，这样绕组电源需用H桥驱动。本文以两相混合式步进电机驱动器为例来设计H桥驱动电路。

IGBT的概念是20世纪80年代初期提出的。IGBT具有复杂的集成结构，它的工作频率可以远高于双极晶体管。IGBT已经成为功率半导体器件的主流。在10～100 kHz的中高压大电流的范围内得到广泛应用。IGBT进一步简化了功率器件的驱动电路和减小驱动功率。

PWM驱动电路是一种很好直流电机驱动电路