开关电源小型化设计中,提高开关频率可有效提高电源的功率密度。但随着开关频率提升,电路电磁干扰(EMI)问题使电源工程师面临了更大的挑战。本文以反激式开关拓扑为例,从设计角度,讨论如何降低电路EMI。为提高开关电源的功率密度,电源工程师首先想到的办法是选择开关频率更高的MOSFET,通过提高开关速度可以显著地减小输出滤波器体积,从而在单位体积内可实现更高的功率等级。但是随着开关频率的提高,会带来EMI特性的恶化,必须采取有效的措施改善电路的EMI特性开关电源的功率MOSFET安装在印制电路板上,由于印制电路板上MOSFET走线和环路存在杂散电容和寄生电感,开关频率越高,这些杂散电容和寄生电感更加不能够忽略。由于MOSFET上的电压和电流在开关时会快速变化,快速变化的电压和电流与这些杂散电容和寄生电感相互作用,会导致电压和电流出现尖峰,使输出噪声明显增加,影响系统EMI特性。
由1-1和1-2式可知,寄生电感和di/dt形成电压尖峰,寄生电容和dv/dt形成电流尖峰。这些快速变化的电流和关联的谐波在其他地方产生耦合的噪声电压,因此影响到开关电源EMI特性。下面以反激式开关拓扑为例,对
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