完整英文版 IEC 60747-5-9：2019 Semiconductor devices：Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of the internal quantum efficiency based on the temperature-dependent electroluminescence （半导体器件：光电子器件 - 发光二极管 - 基于随温度变化的电致发光的内部量子效率测试方法 ）。IEC 60747-5-9:2019(E)规定了无荧光粉的单个发光二极管（LED）芯片或封装的内部量子效率（IQE）的测量方法。用于照明的白光LED不属于本文件的范围。本文件利用在低温和工作温度下测量的相对外部量子效率（EQE），这被称为温度依赖性电致发光（TDEL）。为了确定100%的参考IQE，通过改变环境温度和电流找到EQE峰值的最大值。

完整英文版 IEC 60747-5-10：2019 Semiconductor devices - Part 5-10：Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of the internal quantum efficiency based on the room-temperature reference point （ 半导体器件 - 第5-10部分：光电器件 - 发光二极管 - 基于室温参考点的内量子效率测试方法 ）。IEC 60747-5-10:2019(E)规定了无荧光粉的单个发光二极管（LED）芯片或封装的内部量子效率（IQE）的测量方法。用于照明的白光LED不属于本文件的范围。本文件仅利用在操作室温度下测量的相对外部量子效率（EQE）。为了确定参考IQE，找到对应于注入效率为100%的工作电流，辐射效率由该点的相对EQE的无穷变化决定。然后根据EQE与参考点数值的相对比值计算作为电流函数的IQE，这被称为室温参考点法（RTRM）。

完整英文版 IEC 60747-5-11：2019 Semiconductor devices - Part 5-11：Optoelectronic devices - Light emitting diodes - Test method of radiative and nonradiative currents of light emitting diodes（半导体器件 - 第5-11部分：光电子器件 - 发光二极管 - 发光二极管的辐射电流和非辐射电流的测试方法）。IEC 60747-5-11:2019(E)规定了单个发光二极管(LED)芯片或无荧光粉封装的辐射电流和非辐射电流的测量方法。用于照明的白光LED不属于本文件的范围。本文件利用内部量子效率（IQE）作为电流的函数，其测量方法在其他文件中讨论。

完整英文版 IEC 60747-5-13：2021 Semiconductor devices - Part 5-13：Optoelectronic devices - Hydrogen sulphide corrosion test for LED packages（半导体器件 - 第5-13部分：光电器件 - LED封装的硫化氢腐蚀测试）。IEC 60747-5-13:2021规定了加速测试方法，以评估用于LED封装的银和银合金因硫化氢而变色的影响。特别是，该测试方法旨在提供关于银和银合金变色对LED封装的发光/辐射通量维持的影响的信息。此外，本测试方法还可以提供由于银和银合金的腐蚀而导致的LED封装的电气性能信息。 本试验的目的是确定含有硫化氢的大气对以下材料制成的LED封装的影响：银或银合金；有另一层保护的银或银合金；覆盖有银或银合金的其他金属。

完整英文版 IEC 60747-6：2016 Semiconductor devices - Part 6：Discrete devices - Thyristors（半导体器件 - 第六部分：分立器件 - 晶闸管）。IEC 60747-6:2016为以下类型的分立半导体器件提供标准。 - 反向阻断三极管晶闸管。 - 反向导通（三极管）晶闸管。 - 双向三极管（triacs）。 - 关断晶闸管。

完整英文版 IEC 60747-7：2010 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7：Bipolar transistors （半导体器件 - 分立器件 - 第7部分：双极晶体管 ）。IEC 60747-7:2010+A1:2019给出了适用于以下双极型晶体管的子类别的要求，不包括微波晶体管。 - 小信号晶体管（不包括开关和微波应用）。 - 线性功率晶体管（不包括开关、高频和微波应用）。 - 用于放大器和振荡器应用的高频功率晶体管。 - 用于高速开关和功率开关应用的开关晶体管。 - 电阻器偏置晶体管。

完整英文版 IEC 60747-8：2021 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8：Field-effect transistors（半导体器件 - 分立器件 - 第8部分：场效应晶体管）。IEC 60747-8:2010+A1:2021给出了以下类别的场效应晶体管的标准。 - A型：结点门型。 - B型：绝缘栅耗尽型（常开）。 - C型：绝缘栅增强型（常闭）。

完整英文版 IEC 60747-9：2019 Semiconductor devices - Part 9：Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) - 半导体器件 - 第9部分：分立器件 - 绝缘栅双极型晶体管（IGBTs）。IEC 60747-9:2019规定了绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的术语、字母符号、基本额定值和特性、额定值验证和测量方法的具体产品标准。

完整英文版 IEC 60747-14-1：2010 Semiconductor devices - Part 14-1：Semiconductor sensors - Generic specification for sensors （半导体器件 - 第14-1部分：半导体传感器 - 传感器的通用规范 ）。IEC 60747-14-1:2009描述了有关传感器规格的一般项目，这些项目是本系列其他部分为各种类型的传感器提供规格的基础。本标准中描述的传感器基本上是由半导体材料制成的，然而，本标准中的陈述也适用于使用半导体以外的材料的传感器，例如电介质和铁电材料。

完整英文版 IEC 60747-14-2：2000 Semiconductor devices - Part 14-2：Semiconductor sensors - Hall elements （半导体器件 - 第14-2部分：半导体传感器 - 霍尔元件 ）。规定了利用霍尔效应的封装半导体霍尔元件的标准。