1. Spark面试题.pdf 2. Hive面试题.pdf 3. HBase 面试题.pdf 4. Flink面试题.pdf 5. ZooKeeper 面试题.pdf 6. Hadoop 面试题.pdf 7. Kafka 面试题.pdf 8.RDD 基础面试题.pdf 9. ClickHouse 面试题.pdf 10. 数据仓库面试题.pdf 11. SQL 优化面试题.pdf 12. 网易大数据面试题.pdf 13. 美团大数据面试题.pdf 14. 京东大数据面试题 .pdf 15. 腾讯大数据面经.pdf

设计一种新的液位控制系统,利用2个与非门组成逻辑鉴别电路和正反馈记忆电路,通过调节高液位开关以及低液位开关两点之间的距离,便可调节所需保持的液面的高低范围,液面的调节空间为一个有限范围,而不是一个点,并且采用音叉式液位控制开关作为液面采样,该系统适用范围极广,可以应用于众多条件极其恶劣的工作场所。

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人工智能-机器学习-计算机辅助文物复原中碎片断裂面提取与拼接关键技术研究.pdf

不同于2G/3G/4G的独立组网，5G的网络架构分为两种：非独立（NSA）组网和独立（SA）组网。NSA作为非独立架构，能实现5G的快速部署。低时延是5G非常重要的特点，其实现需要一系列技术的有机结合。针对2.6 GHz NR帧结构，结合理论分析和实际案例数据，研究了NSA架构下控制面时延和用户面时延的现状和问题：当前，商用芯片级别的终端控制面时延约为359～510 ms；，开启预调度功能时，NSA好点空口双向用户面时延为11～14 ms，关闭预调度后，用户面时延增加至15～17 ms。为了进一步优化控制面时延性能，可采用设置NSA的锚点与NR子帧同步、将B1的timetotrigger设置得略小等方案；而采取SR周期自适应方式则可以降低用户面时延。并给出了时延优化方案，给NSA网络部署提供了相应的思路和建议。

单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低功耗、小发散角、高调制带宽和易于二维集成等优点，在光互连、光存储、高速激光打印和长波通讯等方向有着很好的应用前景。调节VCSEL顶部和底部反射层的结构可以很容易地实现单纵模条件，然而要实现横向单模输出，就要同时对出射光加以横向限制。在VCSEL的顶部反射层刻蚀出二维光子晶体结构构成的光子晶体VCSEL实现了稳定的单横模激光输出。介绍了光子晶体VCSEL的基本结构、工作原理、研究进展和应用领域，并探讨了如何使光子晶体VCSEL获得更高的出光功率、控制激光偏振特性和减小发散角等问题。最后评述了光子晶体VCSEL的国内研究现状，并对未来的研究做了展望。

本数据坐标系为WGS84投影坐标系，格式为shp文件，包含深圳市龙华区行政区划内的地块矢量数据及属性信息数据，主要涵盖居民地、医疗卫生医院地块、教育学校、公园绿地、农业地块等，数据来源为互联网地图抽取。 本数据为shp格式的线数据，包括属性数据，可直接用ArcGIS、MapGIS、Supermap、QGIS、Skyline等软件打开。

为了改善大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的模式特性,在GaAs衬底上采用限制扩散湿法刻蚀技术制作出了不同曲率半径的微透镜,与P型和N型分布式布拉格反射镜(DBR)构成复合腔结构,可以对腔内模式进行选择。有源区采用新型的发射波长为980 nm的InGaAs/GaAs应变量子阱,包括9对In_(0.2)Ga_(0.8)As(6 nm)/Ca_(0.18)As_(0.82)P(8 nm)量子阱.有源区直径100μm,微透镜直径300μm,曲率半径959.81μm,表面粗糙度13 nm。室温下,器件连续输出功率大于180 mW,阈值电流200 mA,远场发散角半角宽度分别为7.8°和8.4°,并且与没有微透镜的垂直腔面发射激光器输出特性进行了比较。

从M2因子、远场发散角、近场及远场光强分布等方面对大功率底发射半导体激光器光束质量进行研究，分析了不同器件参数对光束质量的影响，为寻找有效改善光束质量的方法提供了依据。设计了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光（VCSEL）阵列。通过调制阵列中各单元直径以及单元间距， 在4 A的工作电流下得到1 kW/cm2的高功率密度和高斯远场分布。与具有相同出光面积的单管器件和4×4二维阵列比较，新型阵列的光谱特性及光束质量均具有优越性。

报道了980 nm高功率低发散角垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列。通过增大阵列单元的出光孔径和单元间距来减小阵列器件的电阻和热阻,制作的台面为直径250μm,氧化孔径200μm,单元间距280μm的4×4二维阵列,与有源区面积相同的单管器件相比具有更高的输出功率。在室温连续工作条件下,阵列在注入电流6 A时最高输出功率为1.81 W,阈值电流为1.2 A,斜率效率为0.37 W/A,微分电阻为0.01Ω。针对较大的远场发散角对单元器件有源区中电流密度分布进行了计算,分析了器件高阶横模产生的原因。使用镀制额外金层的结构来改善远场发散角,将半角宽度由30°压缩到15°以下,改进后器件的输出功率略有下降。60℃恒电流模式寿命测试结果显示器件在800 h后输出功率衰减小于10%。