NOMA（非正交多址接入）中的SIC(串行干扰消除)原理比较简单，但如何清晰的知道其过程是很多初学者头痛的事，此代码来自国外的一个论坛，很清楚的表示了SIC的实现过程，对初学者有很大的帮助。

面向辐射探测应用的4H-SiC SBD器件电学性能仿真与优化 ，王伟，夏晓川，本文主要研究第三代宽带隙半导体4H-SiC材料制备的核辐射探测器a粒子辐射特性，利用Silvaco-TCAD软件进行了相关电学性能仿真。主要集中�

SiC_MOSFET短路失效与退化机理研究综述及展望_康建龙.pdf

A THREE PHASE ALL SIC PWM RECTIFIER FOR INDUSTRY APPLICATIONS.pdf

SIC MOS 的产品稳定性需要时间验证：根据英飞凌 2020 年功率半导体应用 大会上专家披露，目前 SiC MOSFET 真正落地的时间还非常短，在车载领域才刚 开始商用（Model 3 中率先使用了 SIC MOS 的功率模块），一些诸如短路耐受时 间等技术指标没有提供足够多的验证，SIC MOS 在车载和工控等领域验证自己的 稳定性和寿命等指标需要较长时间； 根据 Yole 预测，SIC 和 GaN 电力电子器件（注意是 GaN 在电力电子中的应 用，不包括在高频射频器件）2023 年在整体功率器件渗透率分别为 3.75%和 1%； 驱动因素是新能源汽车新能源发电以及快充。 我们认为目

基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge 掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC 电学、光学特性进行了理论计算和分析。杂质形成能的计算结果表明，Ge 原子占据Si 位后能量更低，更加稳定。通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC 的价带顶主要由C 的2 p 态占据，而导带底由Si 的3 p 态占据。随着更多的Ge 掺入，导带底位置逐渐由Si 的3 p 态电子决定转变为Ge 的4 p 态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。比较介电常数发现，对Ge 掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC 简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9 eV 及3.5 eV。

采用激光熔覆技术在45#钢表面分别制备了Ni60A涂层及SiC/Ni60A复合涂层。采用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)仪对涂层进行了显微组织和物相分析, 并测试了熔覆层的显微硬度和耐冲蚀磨损性能。结果表明, 在激光作用下, SiC由于具有较小的生成热容易溶解在合金涂层中。熔覆层的物相主要由γ(Ni-Cr-Fe)固溶体及Fe7C3 , Fe0.79C0.12Si0.09等化合物组成。在固溶强化、第二相强化及细晶强化的共同作用下, SiC/Ni60A涂层的抗冲蚀性能显著提高, 涂层的显微硬度也明显增加。

利用带间激发的超快瞬态吸收光谱，研究了导电(n型)氮(N)掺杂和半绝缘(SI)钒(V)掺杂6H-SiC晶片的超快载流子复合动力学过程。N杂质和/或固有缺陷的间接复合主导了n型6H-SiC的载流子弛豫，其寿命超过了10 ns。与n型6H-SiC相比，V掺杂对SI-6H-SiC的瞬态吸收具有显著的调制作用，这源于由V深能级的载流子俘获引起的一个额外的载流复合过程。载流子俘获(寿命约为160 ps)比间接复合快2个数量级以上。通过简化能级模型并进行全局分析，研究了6H-SiC的载流子复合机制，准确地获得了6H-SiC的载流子寿命。

采用Volterra级数法对4H2SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。进一步分析表明,在1GHz和1. 01GHz频率下,当栅长从0. 8μm增大到1. 6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33. 55dBm (36. 26dBm)减小到18. 1dBm (13. 4dBm) , 1dB压缩点从24dBm下降到7. 43dBm。为实际器件的线性化设计提供理论依据。

Growth and Temperature-depending Raman characterization of different nitrogen-doped 4H-SiC crystals