电源往往是我们在电路设计过程中最容易忽略的环节。其实，作为一款优秀的设计，电源设计应当是很重要的，它很大程度影响了整个系统的性能和成本。这里，只介绍一下电路板电源设计中的电容使用情况。这往往又是电源设计中最容易被忽略的地方。很多人搞ARM，搞DSP，搞FPGA，乍一看似乎搞的很高深，但未必有能力为自己的系统提供一套廉价可靠的电源方案。这也是我们国产电子产品功能丰富而性能差的一个主要原因，根源是研发风气吧，大多研发工程师毛燥、不踏实;而公司为求短期效益也只求功能丰富，只管今天杀鸡饱餐一顿，不管明天还有没有蛋，“路有饿死骨”也不值得可惜。言归正转，先跟大家介绍一下电容。大家对电容的概念大多还停留在理想的电容阶段，一般认为电容就是一个C。却不知道电容还有很多重要的参数，也不知道一个1uF的瓷片电容和一个1uF的铝电解电容有什么不同。实际的电容可以等效成下面的电路形式： C：电容容值。一般是指在1kHz，1V 等效AC电压，直流偏压为0V情况下测到的，不过也可有很多电容测量的环境不同。但有一点需注意，电容值C本身是会随环境发生改变的。ESL：电容等效串联电感。电容的管脚是存在电感的。在低

在测定 EMI 性能时，您是否发现无论您采用何种方法滤波都依然会出现超出规范几 dB 的问题呢？有一种方法或许可以帮助您达到 EMI 性能要求，或简化您的滤波器设计。这种方法涉及了对电源开关频率的调制，以引入边带能量，并改变窄带噪声到宽带的发射特征，从而有效地衰减谐波峰值。需要注意的是，总体 EMI 性能并没有降低，只是被重新分布了。

绍了以DSC为控制核心的逆变交流脉冲MIG弧焊电源的构成及工作原理;讨论了应用DSC MC56F8523控制的焊接电源控制系统的硬件设计和软件设计。介绍了模糊控制与专家系统在电源控制系统中的应用。试验证明,该电源工作稳定可靠,能较好地满足焊接工艺性能的要求。

本书是一本介绍开关电源理论与工程设计相结合的工具书，介绍了电源在系统中的作用、电源设计流程、开关电源设计、开关电源与新型电源的比较、改善开关电源效率的整形技术。重点介绍了开关电源电路拓扑的选取、变压器和电感设计、功率驱动电路、反馈补偿参数的设计、保护电路。对减少开关电源损耗的先进技术，如同步整流技术、无损吸收电路、波形整形技术，也作了深入的介绍。另外，通过大量实例，介绍了开关电源的设计方法，还介绍了，功率因数校正、印制电路设计、热设计、噪声控制和电磁干扰抑制等内容。

该通信开关电源主要由主电路和控制电路组成，主电路主要由单相高功率因数校正AC/DC变换电路和移相全桥软开关DC/DC变换电路组成，它包括单相交流输入电源、滤波网络、整流电路、Boost高功率因数校正电路和移相全桥变换电路。

详细介绍了RCC电路的工作原理，给出了仿真和应用实例

1、整流滤波电路 本设计为提高主回路的输入电压UIN，整流滤波电路部分采用了三倍压整流电路，如图1所示。 图1 三倍压整流电路 2、DC-DC变换器控制电路设计 变换器控制部分采用了开关电源集成控制器SG3525A，该芯片具有输出频率范围宽，工作电压范围广，基准电源精度高，死区时间可调等优点。SG3525A具有两个交替工作的输出端，本设计中只需控制一个开关元件，所以采用了两输出端经过4071同时驱动开关元件的方法，如图2所示。 图2 DC-DC变换器控制电路 3、提高效率的方法及实现方案 1）选择结构简单，主回路中元件少的降压型DC-DC变换器作为拓扑结构。 2）选用饱和导通压降小、开关速度快的IGBT作为开关元件。 3）采用工作性能稳定，开关速度较高的M57962L驱动IGBT。如图3所示： 图3 IGBT驱动电路

1、摘要 开关电源已经深入到国民经济的各个行业当中，设计师或是自行设计电源或是购买电源模块，但是这些电源都离不开电源的各种电路拓扑。本文先介绍了开关电源的三大基础拓扑：Buck、Boost、Buck-Boost，并就这三者拓扑之间进行了简单地组合，得到了非常巧妙的电路，例如：正负输出电源、双向电源等，能够满足诸如运放供电、电池充放电等某些特殊的需求。 2、开关电源基础拓扑 开关电源三大基础拓扑为：Buck、Boost、Buck-Boost，大部分开关电源都是采用这几种基础拓扑或者其对应的隔离方式，下面以电感连续模式进行简单介绍。 2.1Buck降压型 Buck降压型电路拓扑，有时又称为Step-down电路，其典型的电路结构如下图1所示： Buck电路的工作原理为： 当PWM驱动高电平使得NMOS管T导通的时候，忽略MOS管的导通压降，等效如图2，电感电流呈线性上升，MOS导通时电感正向伏秒为： 当PWM驱动低电平的时候，MOS管截止，电感电流不能突变，经过续流二极管形成回路(忽略二极管电压)，给输出负载供电，此时电感电流下降，如下图3所示，MO

1. MOSFET开关管工作的最大占空比Dmax： 式中：Vor为副边折射到原边的反射电压，当输入为AC 220V时反射电压为135V；VminDC为整流后的最低直流电压； VDS为MOSFET功率管导通时D与S极间电压，一般取10V。2.变压器原边绕组电流峰值IPK为： 式中：η为变压器的转换效率；Po为输出额定功率，单位为W。3.变压器原边电感量LP为： 式中：Ts为开关管的周期(s)；LP单位为H。4.变压器的气隙lg为： 式中：Ae为磁芯的有效截面积(cm2)；△B为磁芯工作磁感应强度变化值(T)；Lp单位取H，IPK单位取A，lg单位为mm。5.变压器磁芯反激式变换器功率通常较小，一般选用铁氧体磁芯作为变压器磁芯，其功率容量AP为 式中：AQ为磁芯窗口面积，单位为cm2；Ae为磁芯的有效截面积，单位为cm2；Po是变压器的标称输出功率，单位为W；fs为开关管的 开关频率；Bm为磁芯最大磁感应强度，单位为T；δ为线圈导线的电流密度，通常取200～300A/cm2，η是变压器的转换效率；Km为窗口填充系数， 一般为0.2~0.4；KC为磁芯的填充系数

基于UC3844的多路输出双管正激电源设计pdf,