由此系统知MOSFET管漏源两端的最大电压为60V,直流母线上的最大电流为3A。故我们选用N沟道功率MOSFET管IRF540,它具有开关速度快、导通电阻小、栅极电容小和无二次击穿等显著特点。其耐压100V,漏极最大电流28A,导通电阻为0.077Ω,栅极电容为1700PF,充分满足题目要求。另外选用IR2110作为半桥驱动芯片,它具有自举浮动电源,最大驱动电流2A,驱动电压10-20V,能驱动的最大直流母线电压为500V,最大工作频率500KHz,具有电源欠压保护关断逻辑和低压延时封锁功能。VD1、VD2采用肖特基二极管,加快充放电速度,并采用RC缓冲吸收回路对MOSFET管进行保护.
2021-09-17 10:38:52
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逆变电路
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